Spectroscopic studies of RF discharge plasma at plasma-chemical etching of gallium nitride epitaxial structures
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автори: | V. V. Hladkovskiy, O. A. Fedorovich |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2017
|
Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000703195 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Spectroscopic studies of RF discharge plasma at plasma-chemical etching of gallium nitride epitaxial structures
за авторством: V. V. Hladkovskiy, та інші
Опубліковано: (2017) -
Plasma etching of gallium nitride based heterostructures in production of optoelectronic devices
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2006) -
The qualitative analysis of the composition of the RF discharge plasma by means of mass-spectrometry
за авторством: Hladkovskiy, V.V., та інші
Опубліковано: (2016) -
Features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (LiTaO₃)
за авторством: Fedorovich, O.A., та інші
Опубліковано: (2021) -
Experimental research of ICP reactor for plasma-chemical etching
за авторством: Dudin, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)