Spectroscopic studies of RF discharge plasma at plasma-chemical etching of gallium nitride epitaxial structures
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | V. V. Hladkovskiy, O. A. Fedorovich |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2017
|
| Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000703195 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Spectroscopic studies of RF discharge plasma at plasma-chemical etching of gallium nitride epitaxial structures
за авторством: V. V. Hladkovskiy, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. V. Hladkovskiy, та інші
Опубліковано: (2017)
Plasma etching of gallium nitride based heterostructures in production of optoelectronic devices
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2006)
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2006)
The qualitative analysis of the composition of the RF discharge plasma by means of mass-spectrometry
за авторством: Hladkovskiy, V.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Hladkovskiy, V.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (LiTaO₃)
за авторством: Fedorovich, O.A., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Fedorovich, O.A., та інші
Опубліковано: (2021)
Experimental research of ICP reactor for plasma-chemical etching
за авторством: Dudin, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Dudin, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Influence of the plasma chemical etching on the silicon plates surface of photo electric converters
за авторством: B. P. Polozov, та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: B. P. Polozov, та інші
Опубліковано: (2006)
Plasma sterilization in low-pressure RF discharge
за авторством: Lisovskiy, V.A., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Lisovskiy, V.A., та інші
Опубліковано: (2000)
Efficiency of the nitriding process in glow discharge plasma
за авторством: Zhovtyansky, V.A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Zhovtyansky, V.A., та інші
Опубліковано: (2011)
Plasma cleaning of technological chambers in rf capacitive discharges
за авторством: V. Lisovskij, та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: V. Lisovskij, та інші
Опубліковано: (2004)
Influence of dust particles on RF-discharge plasma afterglow
за авторством: Kravchenko, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kravchenko, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2015)
Investigation of the influence of oxygen on the rate and anisotropy of deep etching of silicon in the plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field
за авторством: V. V. Gladkovskij, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. V. Gladkovskij, та інші
Опубліковано: (2017)
Stochastic heating of electrons in capacitive RF discharges by plasma oscillations
за авторством: Manuilenko, O.V.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Manuilenko, O.V.
Опубліковано: (2012)
The investigation of RF discharge in the procession-plasma method by coating films
за авторством: V. I. Gritsenko, та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: V. I. Gritsenko, та інші
Опубліковано: (2003)
2-D electron system in the RF-discharge plasma. Part II. similarity of TDES in a solid and in the RF discharge
за авторством: Berezhnyj, V.L., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Berezhnyj, V.L., та інші
Опубліковано: (2019)
Automated system for real-time control of plasma-chemical etching process in ICP
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2006)
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2006)
Development of Technology for Vacuum Surface Conditioning by RF Plasma Discharge Combined with DC Discharge
за авторством: Yu. V. Kovtun, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Yu. V. Kovtun, та інші
Опубліковано: (2021)
2-D electron system in the RF-discharge plasma. Part I. General observations
за авторством: Berezhnyj, V.L., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Berezhnyj, V.L., та інші
Опубліковано: (2018)
Theoretical and experimental investigation of the plasma source with argon RF barrier discharge at atmospheric pressure
за авторством: Bazhenov, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Bazhenov, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2014)
Photometric diagnostics of plasma of planar capacitive RF discharge in argon at 1 atm pressure
за авторством: Bazhenov, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Bazhenov, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)
High-frequency discharges of low pressure in vacuum-plasma technology of low power-consuming for microstructure etching
за авторством: V. I. Farenik
Опубліковано: (2004)
за авторством: V. I. Farenik
Опубліковано: (2004)
Plasma parameters evolution during conditioning RF discharges in Uragan-2M torsatron
за авторством: Skibenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Skibenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2009)
About peculiarities of self-bias voltage formation in plasma-chemical reactors with controlled magnetic fields
за авторством: Hladkovskiy, V.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Hladkovskiy, V.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Influence of intensive etching processes on structure and properties of carbon nitride films
за авторством: Shalaev, R.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Shalaev, R.V., та інші
Опубліковано: (2008)
Basic plasma features of planar jet formed by capacitive RF discharge in atmosphere pressure argon
за авторством: Bazhenov, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Bazhenov, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2019)
The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon
за авторством: Fedorovich, О.А., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Fedorovich, О.А., та інші
Опубліковано: (2015)
Spatial distribution of continuum radiation from plasma of planar capacitive RF discharge in argon at 1 atm pressure: photometric study
за авторством: Bazhenov, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Bazhenov, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)
Research and development of technological systems based on high-frequency induction discharge for reactive ion-plasma etching of micro- and nanostructures
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2009)
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2009)
Beam dynamics in RF gun with plasma cathode
за авторством: Khodak, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Khodak, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)
Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2012)
Plasma density measurement of RF ion source
за авторством: Voznyy, V.I., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Voznyy, V.I., та інші
Опубліковано: (2005)
Influence of the frame-type antenna on the RF-discharge peripheral plasma parameters in the Uragan-3M torsatron
за авторством: Leleko, Ya.F., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Leleko, Ya.F., та інші
Опубліковано: (2017)
Influence of movable B₄C-limiter on characteristics of RF discharge plasma in the Uragan-2M torsatron
за авторством: Glazunov, G.P., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Glazunov, G.P., та інші
Опубліковано: (2019)
Radial distributions of RF discharge plasma parameters and radial electric field in the Uragan-3M torsatron
за авторством: Volkov, E.D., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Volkov, E.D., та інші
Опубліковано: (2000)
Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)
Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999)
Optical approach to analysis of interaction of gallium nitride and weak magnetic fields
за авторством: Red'ko, R.A.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Red'ko, R.A.
Опубліковано: (2015)
Application of driven plasma cathode in RF electron gun
за авторством: Khodak, I.V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Khodak, I.V., та інші
Опубліковано: (2004)
Vacuum—Plasma Coatings Based on the Multielement Nitrides
за авторством: N. A. Azarenkov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: N. A. Azarenkov, та інші
Опубліковано: (2013)
Self-consistent model of the RF plasma production in stellarator
за авторством: Moiseenko, V.Е., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Moiseenko, V.Е., та інші
Опубліковано: (2010)
Схожі ресурси
-
Spectroscopic studies of RF discharge plasma at plasma-chemical etching of gallium nitride epitaxial structures
за авторством: V. V. Hladkovskiy, та інші
Опубліковано: (2017) -
Plasma etching of gallium nitride based heterostructures in production of optoelectronic devices
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2006) -
The qualitative analysis of the composition of the RF discharge plasma by means of mass-spectrometry
за авторством: Hladkovskiy, V.V., та інші
Опубліковано: (2016) -
Features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (LiTaO₃)
за авторством: Fedorovich, O.A., та інші
Опубліковано: (2021) -
Experimental research of ICP reactor for plasma-chemical etching
за авторством: Dudin, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)