Dependence of the CdTe melting threshold on the pulse duration and wavelength of laser radiation and the parameters of non-equilibrium charge carriers
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | V. P. Veleschuk, O. I. Vlasenko, Z. K. Vlasenko, V. A. Gnatyuk, S. N. Levytskyi |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2017
|
| Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000703301 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Dependence of the CdTe melting threshold on the pulse duration and wavelength of laser radiation and the parameters of non-equilibrium charge carriers
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Dependence of the melting threshold of CdTe on the wavelength and pulse duration of laser radiation (Article retracted)
за авторством: V. P. Veleschuk, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. P. Veleschuk, та інші
Опубліковано: (2020)
Mechanisms of carrier transport in CdTe polycrystalline films
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2010)
Mechanisms of carrier transport in CdTe polycrystalline films
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Структура Те-CdTe со свойством электронного переключения с памятью
за авторством: Baidullaeva, А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Baidullaeva, А., та інші
Опубліковано: (2007)
Peculiarities of preparation of CdTe p-n junctions and carrier transport in them
за авторством: A. T. Voroshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. T. Voroshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Features of a shock wave in CdTe by pulsed laser irradiation
за авторством: B. K. Dauletmuratov
Опубліковано: (2011)
за авторством: B. K. Dauletmuratov
Опубліковано: (2011)
Features of a shock wave in CdTe by pulsed laser irradiation
за авторством: Dauletmuratov, B.K.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Dauletmuratov, B.K.
Опубліковано: (2011)
Carrier transport mechanisms in polycrystalline sandwich structures p+-PbTe/p-CdTe/p+-PbTe
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2013)
Low-temperature photoluminescence of thin CdTe, CdTe:In films with an anomalous photovoltaic property
за авторством: Zh. Akhmadaliev, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Zh. Akhmadaliev, та інші
Опубліковано: (2010)
Influence of pulsed 266-nm laser radiation on the optical properties of CdTe and Cd0.9Zn0.1Te in the region of the fundamental optical transition
за авторством: P. O. Hentsar, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: P. O. Hentsar, та інші
Опубліковано: (2021)
Influence of pulsed 266-nm laser radiation on the optical properties of CdTe and Cd0.9Zn0.1Te in the region of the fundamental optical transition
за авторством: P. O. Gentsar, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: P. O. Gentsar, та інші
Опубліковано: (2021)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Structural changes in molten CdTe
за авторством: Shcherbak, L., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Shcherbak, L., та інші
Опубліковано: (2000)
Ensemble of point defects in CdTe single crystals and films in the case of full equilibrium and quenching
за авторством: Kosyak, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kosyak, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021)
Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe
за авторством: G. P. Parkhomenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: G. P. Parkhomenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Application of CdTe (CdZnTe) detectors for radioactive waste characterization
за авторством: Dovbnya, N.A., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Dovbnya, N.A., та інші
Опубліковано: (2002)
Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2012)
Relaxation factors of acoustic conductivity in CdTe
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2018)
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)
Electronic properties of CdTe and ZnTe strained layers in heterostructures
за авторством: R. M. Balabai, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: R. M. Balabai, та інші
Опубліковано: (2011)
Thin film solar cells on CdS/CdTe/ITO base
за авторством: Khrypunov, G.S.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Khrypunov, G.S.
Опубліковано: (2005)
Influence of impurities and structural defects on electrophysical and detector properties of CdTe and CdZnTe
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)
Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Self-purification effect in CdTe:Gd crystals
за авторством: Nikonyuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Nikonyuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2008)
Characterization of grain boundaries in CdTe polycrystalline films
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2015)
Medium wavelength infrared HgCdTe discrete photodetectors
за авторством: Z. F. Tsibrij, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Z. F. Tsibrij, та інші
Опубліковано: (2017)
Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2012)
Development of back contact for CdS/CdTe thin-film solar cells
за авторством: Khrypunov, G., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Khrypunov, G., та інші
Опубліковано: (2010)
Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2012)
Thin Film Detector CdTe Structures with Schottky Barrier
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of Cr doping on optical and photoluminescent properties of CdTe
за авторством: Ilashchuk, М.I., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ilashchuk, М.I., та інші
Опубліковано: (2010)
The role of copper in bifacial CdTe based solar cells
за авторством: G. Khrypunov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: G. Khrypunov, та інші
Опубліковано: (2011)
Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)
The role of copper in bifacial CdTe based solar cells
за авторством: Khrypunov, G., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Khrypunov, G., та інші
Опубліковано: (2011)
Схожі ресурси
-
Dependence of the CdTe melting threshold on the pulse duration and wavelength of laser radiation and the parameters of non-equilibrium charge carriers
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2017) -
Dependence of the melting threshold of CdTe on the wavelength and pulse duration of laser radiation (Article retracted)
за авторством: V. P. Veleschuk, та інші
Опубліковано: (2020) -
Mechanisms of carrier transport in CdTe polycrystalline films
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2010) -
Mechanisms of carrier transport in CdTe polycrystalline films
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2010) -
Структура Те-CdTe со свойством электронного переключения с памятью
за авторством: Baidullaeva, А., та інші
Опубліковано: (2007)