Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | I. B. Olenych, L. S. Monastyrskyi, B. P. Koman |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2017
|
| Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000703302 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012)
Photoelectric properties of metal-porous silicon-silicon planar heterostructures
за авторством: Brodovoi, A.V., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Brodovoi, A.V., та інші
Опубліковано: (2002)
The structure of oxide film on the porous silicon surface
за авторством: O. I. Zavalistyi, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: O. I. Zavalistyi, та інші
Опубліковано: (2020)
The structure of oxide film on the porous silicon surface
за авторством: O. I. Zavalistyi, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: O. I. Zavalistyi, та інші
Опубліковано: (2020)
Peculiarities of current transport in titanium oxide-silicon heterostructures
за авторством: Yu. S. Milovanov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Yu. S. Milovanov, та інші
Опубліковано: (2012)
Peculiarities of current transport in titanium oxide-silicon heterostructures
за авторством: Yu. S. Milovanov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Yu. S. Milovanov, та інші
Опубліковано: (2012)
Features of electrical charge transfer in porous silicon
за авторством: Monastyrskii, L.S.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Monastyrskii, L.S.
Опубліковано: (2001)
Spectroscopy of films of polysilanes/porous silicon and titanium oxides nanocomposites
за авторством: N. I. Ostapenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: N. I. Ostapenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Effect of buffer layer of porous silicon carbide on the interface with the oxide layer (review)
за авторством: O. B. Okhrimenko
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. B. Okhrimenko
Опубліковано: (2012)
Sensing to gases of structures silicide cobalt-porous silicon-silicon
за авторством: I. V. Belousov, та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: I. V. Belousov, та інші
Опубліковано: (2006)
Evidence for photochemical transformations in porous silicon
за авторством: Shevchenko, V.B., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Shevchenko, V.B., та інші
Опубліковано: (1999)
Optical parameters of nanocomposite films of porous aluminium oxide with quantum dots of silicon or germanium
за авторством: Ju. V. Ushenin, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ju. V. Ushenin, та інші
Опубліковано: (2013)
Spectral dependence of the photomagnetic effect in porous silicon
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2001)
Photoluminescence of nanocrystalline cdte, introduced into porous silicon
за авторством: H. A. Pashchenko, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: H. A. Pashchenko, та інші
Опубліковано: (2021)
Changing the conductivity of porous silicon with silver nanoparticles/silicon structures when detecting hydrogen peroxide
за авторством: Yu. Kutova, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Yu. Kutova, та інші
Опубліковано: (2018)
Functionalization and nanostructurization of surface layers of porous silicon
за авторством: Ye. I. Zubko
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ye. I. Zubko
Опубліковано: (2013)
Electrical properties of MIS structures with silicon nanoclusters
за авторством: S. V. Bunak, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: S. V. Bunak, та інші
Опубліковано: (2011)
Varistor-like current-voltage characteristic of porous silicon
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (1999)
Cadmium sulfide−porous silicon nanocomposite structures
за авторством: N. A. Davidenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: N. A. Davidenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Cadmium sulfide−porous silicon nanocomposite structures
за авторством: M. O. Davydenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: M. O. Davydenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)
Size Dependence of Mechanical Stresses in the Metal Condensates on Silicon
за авторством: B. P. Koman, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: B. P. Koman, та інші
Опубліковано: (2014)
Avalanche multiplication of charge carriers in nanostructured porous silicon
за авторством: Timokhov, D.F., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Timokhov, D.F., та інші
Опубліковано: (2003)
Electrophysical properties of meso-porous silicon free standing films modified with palladium
за авторством: A. I. Manilov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. I. Manilov, та інші
Опубліковано: (2011)
Electrophysical properties of meso-porous silicon free standing films modified with palladium
за авторством: Manilov, A.I., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Manilov, A.I., та інші
Опубліковано: (2011)
Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide
за авторством: S. I. Tiagulskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. I. Tiagulskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide
за авторством: Tiagulskyi, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Tiagulskyi, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
Electrical properties intergranular boundaries in the volume of polycrystalline silicon
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2013)
Electron tunneling in the germanium/silicon heterostructure with germanium quantum dots: theory
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2021)
Electronic properties of silicon surface at different oxide film conditions
за авторством: Kirillova, S.I., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Kirillova, S.I., та інші
Опубліковано: (2001)
Problems of application of porous silicon to chemical and photocatalytic production of hydrogen
за авторством: A. I. Manilov
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. I. Manilov
Опубліковано: (2016)
Problems of application of porous silicon to chemical and photocatalytic production of hydrogen
за авторством: A. I. Manilov
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. I. Manilov
Опубліковано: (2016)
Peculiarities of nanocrystalline silicon films growth on porous anodic alumina surface
за авторством: P. V. Parfenyuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: P. V. Parfenyuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon–carbon and nanocrystalline-silicon thin films
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2013)
Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon–carbon and nanocrystalline-silicon thin films
за авторством: B. A. Nadzhafov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: B. A. Nadzhafov, та інші
Опубліковано: (2013)
Simulation of stable operation mode for hydrogen energy system based on porous silicon
за авторством: A. I. Manilov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. I. Manilov, та інші
Опубліковано: (2018)
Optical properties of submicron silicon oxide films after high-temperature processing
за авторством: V. V. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. V. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Preparation and characterization of diamond–silicon carbide–silicon composites gaseous silicon vacuum infiltration process
за авторством: R. J. Liu, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: R. J. Liu, та інші
Опубліковано: (2014)
Preparation and characterization of diamond–silicon carbide–silicon composites gaseous silicon vacuum infiltration process
за авторством: R. J. Liu, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: R. J. Liu, та інші
Опубліковано: (2014)
Схожі ресурси
-
Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017) -
Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012) -
Photoelectric properties of metal-porous silicon-silicon planar heterostructures
за авторством: Brodovoi, A.V., та інші
Опубліковано: (2002) -
The structure of oxide film on the porous silicon surface
за авторством: O. I. Zavalistyi, та інші
Опубліковано: (2020) -
The structure of oxide film on the porous silicon surface
за авторством: O. I. Zavalistyi, та інші
Опубліковано: (2020)