Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of "deep" p–n-junction
Gespeichert in:
| Datum: | 2017 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2017
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| Schriftenreihe: | Ukrainian Journal of Physics |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000703686 |
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| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |