Electronic structure of Ag8GeS6
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автори: | D. I. Bletskan, I. P. Studenyak, V. V. Vakulchak, A. V. Lukach |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2017
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714479 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Temperature dependence of dielectric properties of the liquid crystal 6CB with the embedded Ag7GeS5I nanoparticles
за авторством: S. I. Poberezhets, та інші
Опубліковано: (2020) -
The structure of glassy HgS–GeS₂
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2005) -
Electrical and dielectrical properties of composites based on (Ag1-xCux)7GeS5I mixed crystals
за авторством: Yu. Izai, та інші
Опубліковано: (2018) -
Glass formation region and X-ray analysis of the glassy alloys in AgGaSe₂+GeS₂<=>AgGaS₂+GeSe₂ system
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2009) -
Optical studies of as-deposited and annealed Cu₇GeS₅I thin films
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2016)