Electronic structure of Ag8GeS6
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | D. I. Bletskan, I. P. Studenyak, V. V. Vakulchak, A. V. Lukach |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2017
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714479 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Temperature dependence of dielectric properties of the liquid crystal 6CB with the embedded Ag7GeS5I nanoparticles
за авторством: S. I. Poberezhets, та інші
Опубліковано: (2020) -
The structure of glassy HgS–GeS₂
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2005) -
Electrical and dielectrical properties of composites based on (Ag1-xCux)7GeS5I mixed crystals
за авторством: Yu. Izai, та інші
Опубліковано: (2018) -
Glass formation region and X-ray analysis of the glassy alloys in AgGaSe₂+GeS₂<=>AgGaS₂+GeSe₂ system
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2009) -
THERMODYNAMICALLY STABLE PHASES OF THE Ag9GaSe6 – Ag8GeSe6 SYSTEM AT T
за авторством: Moroz, Mykola, та інші
Опубліковано: (2022)