Influence of non-radiative exciton recombination in silicon on photoconversion efficiency. 2. Short Shockley-Read-Hall lifetimes
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | A. V. Sachenko, V. P. Kostylyov, V. M. Vlasiuk, R. M. Korkishko, I. O. Sokolovskyi, V. V. Chernenko, M. A. Evstigneev |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2017
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714481 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Influence of non-radiative exciton recombination in silicon on photoconversion efficiency. 2. Short Shockley–Read–Hall lifetimes
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2017)
The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. Long Shockley–Read–Hall lifetimes
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)
The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. The case of a long Shockley–Read–Hall lifetime
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Effect of excitons on photoconversion efficiency in the p⁺-n-n⁺- and n⁺-p-p⁺-structures based on single-crystalline silicon
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (2000)
Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Features in the formation of a recombination current in the space charge region of silicon solar cells
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Features in the formation of a recombination current in the space charge region of silicon solar cells
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Analysis of features of recombination mechanisms in silicon solar cells
за авторством: R. M. Korkishko, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: R. M. Korkishko, та інші
Опубліковано: (2014)
Analysis of features of recombination mechanisms in silicon solar cells
за авторством: Korkishko, R.M., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Korkishko, R.M., та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2013)
Reduction of recombination losses in near-surface diffusion emitter layers of photosensitive silicon n+-p-p+ structures
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2023)
Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
Influence of surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells
за авторством: V. P. Kostylov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. P. Kostylov, та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of nanostructured ITO films on surface recombination processes in silicon solar cells
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2015)
Influence of nanostructured ITO films on surface recombination processes in silicon solar cells
за авторством: Kostylyov, V.P., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kostylyov, V.P., та інші
Опубліковано: (2015)
Excitonic effects in band-edge luminescence of semiconductors at room temperatures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Characteristics of confined exciton states in silicon quantum wires
за авторством: Korbutyak, D.V., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Korbutyak, D.V., та інші
Опубліковано: (2003)
Оптимізація конструкції кремнієвих сонячних елементів для роботи в режимі концентрації наземного сонячного випромінювання
за авторством: Korkishko, Roman, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Korkishko, Roman, та інші
Опубліковано: (2024)
Key parameters of commercial silicon solar cells with rear metallization
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2019)
Key parameters of commercial silicon solar cells with rear metallization
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Lifetime of electrons in dense plasma
за авторством: O. A. Fedorovich, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: O. A. Fedorovich, та інші
Опубліковано: (2017)
Lifetime of electrons in dense plasma
за авторством: O. A. Fedorovych, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: O. A. Fedorovych, та інші
Опубліковано: (2017)
Peculiarities of the temperature dependences of silicon solar cells illuminated with light simulator
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Peculiarities of the temperature dependences of silicon solar cells illuminated with light simulator
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Quantum Hall interferometers
за авторством: E. V. Devjatov
Опубліковано: (2013)
за авторством: E. V. Devjatov
Опубліковано: (2013)
On the lifetime of metastable metallic hydrogen
за авторством: S. N. Burmistrov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. N. Burmistrov, та інші
Опубліковано: (2017)
On the lifetime of metastable metallic hydrogen
за авторством: Burmistrov, S.N., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Burmistrov, S.N., та інші
Опубліковано: (2017)
Prediction of lifetime of data storage on optical disks
за авторством: Petrov, V. V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Petrov, V. V., та інші
Опубліковано: (2016)
Temperature effect on the characteristics and lifetime of semiconductor detectors
за авторством: Vasiliyev, G.P., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Vasiliyev, G.P., та інші
Опубліковано: (2006)
Short memories and very personal ones…
за авторством: O. Chernenko
Опубліковано: (2024)
за авторством: O. Chernenko
Опубліковано: (2024)
Exciton condensation in quantum wells. Exciton hydrodynamics. The effect of localized states
за авторством: Sugakov, V.I.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Sugakov, V.I.
Опубліковано: (2014)
On a Hall Hypothesis
за авторством: Tyutyanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Tyutyanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2002)
Lifetime of tissue in aspect of the mathematical law of ageing
за авторством: O. V. Artomov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: O. V. Artomov, та інші
Опубліковано: (2017)
Analysis of the silicon solar cells efficiency. Type of doping and level optimization
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Analysis of the silicon solar cells efficiency. Type of doping and level optimization
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Exciton–polariton laser
за авторством: S. A. Moskalenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. A. Moskalenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Exciton–polariton laser
за авторством: Moskalenko, S.A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Moskalenko, S.A., та інші
Опубліковано: (2016)
The lifetime of P.A Kochubei – the owner of Baturyn estate
за авторством: N. V. Drobiazko
Опубліковано: (2013)
за авторством: N. V. Drobiazko
Опубліковано: (2013)
Схожі ресурси
-
Influence of non-radiative exciton recombination in silicon on photoconversion efficiency. 2. Short Shockley–Read–Hall lifetimes
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2017) -
The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. Long Shockley–Read–Hall lifetimes
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2016) -
The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. The case of a long Shockley–Read–Hall lifetime
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016) -
Effect of excitons on photoconversion efficiency in the p⁺-n-n⁺- and n⁺-p-p⁺-structures based on single-crystalline silicon
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (2000) -
Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)