Influence of the composition of (TlGaS2)1–kh(TlInSe2)x solid solutions on their physical properties
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | S. N. Mustafaeva, S. G. Jafarova, E. M. Kerimova, N. Z. Gasanov, S. M. Asadov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2017
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714487 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
КВАЗІПОТРІЙНА СИСТЕМА Tl2Se–TlInSe2–Tl4P2Se6
за авторством: Barchiy, Igor, та інші
Опубліковано: (2019) -
Laser-induced transformations in thermally evaporated thin TlInSe2 films studied by Raman spectroscopy
за авторством: Y. M. Azhniuk, та інші
Опубліковано: (2023) -
Раманівське дослідження індукованих лазерним випромінюванням перетворень у термічно напилених тонких плівках TlInSe2
за авторством: Azhniuk, Y.M., та інші
Опубліковано: (2024) -
Production of TlGa(In)Se2 crystals and the effect of cation substitution on their physical parameters
за авторством: O. Parasiuk, та інші
Опубліковано: (2017) -
Тепловое расширение слоистых монокристаллов TlGaSe₂ и TlInS₂
за авторством: Абдуллаев, Н.А., та інші
Опубліковано: (2001)