Зображення обкладинки

Influence of the composition of (TlGaS2)1–kh(TlInSe2)x solid solutions on their physical properties

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2017
Автори:	S. N. Mustafaeva, S. G. Jafarova, E. M. Kerimova, N. Z. Gasanov, S. M. Asadov
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2017
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714487
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Influence of the composition of (TlGaS₂)₁₋ₓ(TlInSe₂)ₓ solid solutions on their physical properties
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2017)

КВАЗІПОТРІЙНА СИСТЕМА Tl2Se–TlInSe2–Tl4P2Se6
за авторством: Barchiy, Igor, та інші
Опубліковано: (2019)

Laser-induced transformations in thermally evaporated thin TlInSe2 films studied by Raman spectroscopy
за авторством: Y. M. Azhniuk, та інші
Опубліковано: (2023)

Production of TlGa(In)Se2 crystals and the effect of cation substitution on their physical parameters
за авторством: O. Parasiuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Тепловое расширение слоистых монокристаллов TlGaSe₂ и TlInS₂
за авторством: Абдуллаев, Н.А., та інші
Опубліковано: (2001)

Phase equilibria in the Tl2Se-Tl9BiSe6-Tl4SnSe3 system
за авторством: O. O. Masalovych, та інші
Опубліковано: (2015)

Система Tl₂GeSe₃—Tl₄GeₓSn₁₋ₓSe₄ —Tl₂SnSe₃
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2006)

Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Phase equilibria in the Tl4SnSe4—TlBiSe2—Tl9BiSe6 quasiternary system
за авторством: Ye. Barchii, та інші
Опубліковано: (2011)

Phase diagram of the Tl2S–Ga2S3 system and the crystal structure of the Tl2Ga20S31 compound
за авторством: O. Tsisar, та інші
Опубліковано: (2017)

Фазові рівноваги у квазіпотрійній системі Tl₄SnSe₄—TlBiSe₂—Tl₉BiSe₆
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2011)

The TlInS2–ZnS system and the properties of the TlInS2:Zn2+ crystal
за авторством: L. Piskach, та інші
Опубліковано: (2018)

Фазові рівноваги у системі SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)

ВЗАЄМОДІЯ У КВАЗІПОДВІЙНИХ СИСТЕМАХ НА ОСНОВІ TlSbP2Se6 ТА СПОЛУК СИСТЕМИ Tl2Se–Sb2Se3
за авторством: Sabov, Viktoria, та інші
Опубліковано: (2019)

Термоелектричні властивості монокристалів сполук Tl₄SnS₄(Se₄) і Tl₂SnS₃(Se₃)
за авторством: Малаховська, Т.О., та інші
Опубліковано: (2009)

Frequency-dependent dielectric coefficients of TlInS₂ amorphous films
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2007)

Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal
за авторством: Ismayilova, N.A., та інші
Опубліковано: (2017)

Фазові рівноваги в системі Tl₂Se—SnSe, одержання та властивості монокристалів сполуки Tl₄SnSe₃
за авторством: Малаховська, Т.О., та інші
Опубліковано: (2009)

Electric properties of TlInS₂ single crystals
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2006)

Thermoelectric figure of merit of TlIn1-xYbxTe2 (0 kh 0.10)
за авторством: F. F. Aliev, та інші
Опубліковано: (2016)

Фізико-хімічна взаємодія в системі TlSe—ТlСl—TlBr
за авторством: Слободян, Л.А.
Опубліковано: (2000)

Механізм утворення потрійних сполук у системі Tl₂Se—SnSe₂
за авторством: Глух, О.С., та інші
Опубліковано: (2010)

Band structure of TlInTe2 and thermoelectric figure of merit of solid solutions on its basis
за авторством: E. M. Godzhayev, та інші
Опубліковано: (2013)

Temperature dependence of raman-active modes of TlIn(0.95Se0.05)2 Single
за авторством: O. O. Gomonnai, та інші
Опубліковано: (2019)

Temperature dependence of raman-active modes of TlIn(0.95Se0.05)2 Single
за авторством: O. O. Gomonnai, та інші
Опубліковано: (2019)

Термоэлектрические свойства сплавов системы TlInTe₂-TlYbTe₂
за авторством: Зарбалиев, М.М., та інші
Опубліковано: (2004)

TlBr: Carrier transport as influenced by defects and Tl ion migration
за авторством: Kazukauskas, V., та інші
Опубліковано: (2010)

X-ray dosimetry of copper-doped CdGa2S4 single crystals
за авторством: S. N. Mustafaeva, та інші
Опубліковано: (2012)

Фазові рівноваги на квазібінарних перерізах квазіпотрійної системи Tl₂Se—SnSe₂—Bi₂Se₃
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Dielectric spectroscopy of CuInSe2 single crystals
за авторством: S. N. Mustafaeva, та інші
Опубліковано: (2016)

Photoelectrical properties of defects in La-doped TlInS2 layered crystal
за авторством: M. Seyidov, та інші
Опубліковано: (2014)

Raman spectra of InᵪTl₁₋ᵪI substitutional solid solutions
за авторством: Dovhyi, Ya.O., та інші
Опубліковано: (2005)

Dielectric properties of TlIn(S1-xSex)2 polycrystals near phase transitions
за авторством: R. R. Rosul, та інші
Опубліковано: (2012)

Phase equilibria in the system Tl2Te—SnTe—PbTe
за авторством: M. Y. Filep, та інші
Опубліковано: (2012)

Engineering of long length CsI:Tl scintillators for high energy physics
за авторством: Zosim, D.I., та інші
Опубліковано: (2015)

A possible reason for non-proportionality of response in NaI:Tl and CsI:Tl scintillation crystals
за авторством: Kudin, A.M., та інші
Опубліковано: (2006)

Quasi-binary sections and comparative analysis of interaction of ternary systems Tl—Pb—Se(Te)
за авторством: T. O. Malakhovska, та інші
Опубліковано: (2015)

1D- and 2D-matrices scintillation elements on the crystals base ZnSe(Te), CdWO₄, CsI(Tl), Bi₃Ge₄O₁₂
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2004)

Теплоемкость кристаллов TlIn₁-x Cex S₂ (0 ≤ x ≤ 0,04)
за авторством: Годжаев, Э.М., та інші
Опубліковано: (2000)

Elastic properties of substitutional solid solutions InxTl1–xI and sound wave velocities in them
за авторством: A. V. Franiv, та інші
Опубліковано: (2017)