Influence of the composition of (TlGaS2)1–kh(TlInSe2)x solid solutions on their physical properties
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автори: | S. N. Mustafaeva, S. G. Jafarova, E. M. Kerimova, N. Z. Gasanov, S. M. Asadov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2017
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714487 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Laser-induced transformations in thermally evaporated thin TlInSe2 films studied by Raman spectroscopy
за авторством: Y. M. Azhniuk, та інші
Опубліковано: (2023) -
Раманівське дослідження індукованих лазерним випромінюванням перетворень у термічно напилених тонких плівках TlInSe2
за авторством: Azhniuk, Y.M., та інші
Опубліковано: (2024) -
Production of TlGa(In)Se2 crystals and the effect of cation substitution on their physical parameters
за авторством: O. Parasiuk, та інші
Опубліковано: (2017) -
Тепловое расширение слоистых монокристаллов TlGaSe₂ и TlInS₂
за авторством: Абдуллаев, Н.А., та інші
Опубліковано: (2001) -
Phase equilibria in the Tl2Se-Tl9BiSe6-Tl4SnSe3 system
за авторством: O. O. Masalovych, та інші
Опубліковано: (2015)