Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals

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Bibliographische Detailangaben
Datum:2017
Hauptverfasser: G. P. Gaidar, P. I. Baranskii
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: 2017
Schriftenreihe:Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714495
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