Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2017
Автори:	G. P. Gaidar, P. I. Baranskii
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2017
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714495
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Anisotropy of electron phonon drag thermoEMF in n-Ge
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)

Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2016)

Concentration dependences of the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μ || and the anisotropy parameter of electron-phonon drag thermopower M = α || ph/α⊥ ph IN n-Ge and n-Si
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2014)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)

Effect of charge ordering on the thermoEMF of layered crystals in a quantizing magnetic field
за авторством: P. V. Gorsky
Опубліковано: (2012)

The accuracy of thermoEMF measurement by the probe method
за авторством: L. I. Anatychuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Effect of Surfactant Germanium Sublayers of the Subatomic Thickness on the Structure and the Low-Temperature Thermo-EMF of Gold and Copper Ultra-Thin Films
за авторством: R. I. Bihun, та інші
Опубліковано: (2013)

Influence of mutual drag of light and heavy holes on conductivity of p-silicon and p-germanium
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)

Influence of mutual drag of light and heavy holes on conductivity of p-silicon and p-germanium
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)

ThermoEMF in Bi nanowires in the transverse constant electric field
за авторством: E. P. Sinyavsky, та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)

Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)

Thermo emf in a two-dimensional electron-hole system in HgTe quantum wells in the presence of magnetic field. The role of the diffusive and the phonon-drag contributions
за авторством: E. B. Olshanetsky, та інші
Опубліковано: (2021)

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)

The radiation hardness of pulled silicon doped with germanium
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2007)

Some peculiarities of thermopower anisotropy in undeformed and elastically deformed n – Si and n – Ge single crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2015)

Electro-physical properties of γ-exposed crystals of silicon and germanium
за авторством: Dotsenko, Yu. P.
Опубліковано: (1999)

Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon
за авторством: Zaitsev, R.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Study of dynamic drag of dislocations in KCI crystals with impurities and different dislocation structure
за авторством: Petchenko, О.M., та інші
Опубліковано: (2021)

Concentration dependences of dielectric parameters of impurity-doped K2SO4 crystals
за авторством: Yo. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2022)

Concentration dependences of dielectric parameters of impurity-doped K2SO4 crystals
за авторством: V. Y. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2022)

The spin states of cobalt ions and thermo-e.m.f. in erbium and holmium cobaltites
за авторством: Khirnyi, V.F., та інші
Опубліковано: (2009)

Influence of the high-temperature annealing on the anisotropy parameters of mobility and the anisotropy of the thermoelectromotive-drag of electrons by phonons in n-Si
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Configuration transitions of divacancies in silicon and germanium
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)

Impact of layered structure effects and charge ordering on thermoEMF of thermoelectric materials in a quantizing magnetic field
за авторством: P. V. Gorsky, та інші
Опубліковано: (2013)

Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2012)

Influence of γ-irradiation (⁶⁰Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2012)

Electron tunneling in the germanium/silicon heterostructure with germanium quantum dots: theory
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Concentration and temperature dependences of thermoelectric characteristics of the elastically deformed silicon
за авторством: G. P. Gajdar, та інші
Опубліковано: (2018)

Concentration and temperature dependences of thermoelectric characteristics of the elastically deformed silicon
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2018)

Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and y-irradiation (⁶⁰Co) on electrophysical parameters of n-Ge <Sb>
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2014)

Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and -irradiation (60Co) on electrophysical parameters of n-Ge Sb
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2014)

Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2016)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2013)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)

Electron-electron drag in crystals with multivalley band
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)

Microfluctuations of oxygen impurity concentration as a reason of accelerated oxygen diffusion in silicon
за авторством: Neimash, V.B., та інші
Опубліковано: (2000)