Buchumschlag

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2017
Hauptverfasser:	G. P. Gaidar, P. I. Baranskii
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2017
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714495
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Anisotropy of electron phonon drag thermoEMF in n-Ge
von: P. I. Baranskii, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals
von: H. P. Haidar, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal
von: G. P. Gaidar, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Concentration dependences of the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μ || and the anisotropy parameter of electron-phonon drag thermopower M = α || ph/α⊥ ph IN n-Ge and n-Si
von: G. P. Gaidar, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
von: P. I. Baranskii, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Effect of charge ordering on the thermoEMF of layered crystals in a quantizing magnetic field
von: P. V. Gorsky
Veröffentlicht: (2012)

Influence of mutual drag of light and heavy holes on conductivity of p-silicon and p-germanium
von: I. I. Boiko
Veröffentlicht: (2011)

Influence of mutual drag of light and heavy holes on conductivity of p-silicon and p-germanium
von: Boiko, I.I.
Veröffentlicht: (2011)

The accuracy of thermoEMF measurement by the probe method
von: L. I. Anatychuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Effect of Surfactant Germanium Sublayers of the Subatomic Thickness on the Structure and the Low-Temperature Thermo-EMF of Gold and Copper Ultra-Thin Films
von: R. I. Bihun, et al.
Veröffentlicht: (2013)

ThermoEMF in Bi nanowires in the transverse constant electric field
von: E. P. Sinyavsky, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
von: P. I. Baranskii, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
von: Baranskii, P.I., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium
von: I. I. Boiko
Veröffentlicht: (2011)

Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium
von: Boiko, I.I.
Veröffentlicht: (2011)

Thermo emf in a two-dimensional electron-hole system in HgTe quantum wells in the presence of magnetic field. The role of the diffusive and the phonon-drag contributions
von: E. B. Olshanetsky, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Some peculiarities of thermopower anisotropy in undeformed and elastically deformed n – Si and n – Ge single crystals
von: G. P. Gaidar, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Concentration dependences of dielectric parameters of impurity-doped K2SO4 crystals
von: Yo. Stadnyk, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Concentration dependences of dielectric parameters of impurity-doped K2SO4 crystals
von: V. Y. Stadnyk, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Influence of the high-temperature annealing on the anisotropy parameters of mobility and the anisotropy of the thermoelectromotive-drag of electrons by phonons in n-Si
von: P. I. Baranskyi, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Configuration transitions of divacancies in silicon and germanium
von: A. P. Dolgolenko
Veröffentlicht: (2013)

Electron tunneling in the germanium/silicon heterostructure with germanium quantum dots: theory
von: S. I. Pokutnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
von: G. P. Gaidar
Veröffentlicht: (2012)

Impact of layered structure effects and charge ordering on thermoEMF of thermoelectric materials in a quantizing magnetic field
von: P. V. Gorsky, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and y-irradiation (⁶⁰Co) on electrophysical parameters of n-Ge <Sb>
von: Gaidar, G.P.
Veröffentlicht: (2014)

Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and -irradiation (60Co) on electrophysical parameters of n-Ge Sb
von: G. P. Gaidar
Veröffentlicht: (2014)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
von: G. P. Gaidar
Veröffentlicht: (2013)

Concentration and temperature dependences of thermoelectric characteristics of the elastically deformed silicon
von: H. P. Haidar, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Concentration and temperature dependences of thermoelectric characteristics of the elastically deformed silicon
von: G. P. Gajdar, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals
von: H. P. Haidar, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Electron-electron drag in crystals with multivalley band
von: Boiko, I.I.
Veröffentlicht: (2009)

Some thermoelectric features of conventional and transmutation doped silicon crystals
von: P. I. Baranskii, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Changing of the anisotropy parameter of mobility in n-Ge single crystals with heterogeneous distribution of doping impurity
von: D. A. Zakharchuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals
von: P. I. Baranskyi, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Belt-type hydraulic station which uses the power of drag
von: A. I. Jakovlev, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Lateral photo-emf in Schottky contact
von: E. F. Venger, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Impurity concentration influence on the correlation of the x-ray lines intensity in metal-fullerene crystals
von: A. N. Drozdov, et al.
Veröffentlicht: (2009)

Low-temperature magnetic field dependences of spontaneous mag-netization of low concentration (≤ 0.2 at.%) iron impurity electron system in mercury selenide crystal
von: T. E. Govorkova, et al.
Veröffentlicht: (2019)

On the theory of the binding energy of exciton quasimolecules in germanium/silicon double quantum dots
von: S. I. Pokutnyi, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon
von: Evtukh, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2001)