Investigation of electric and magnetic characteristics of high-temperature hall sensor based on AlGaN/GaN heterostructure
Gespeichert in:
| Datum: | 2017 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | V. R. Stempitskij, Dao Din Kha |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2017
|
| Schriftenreihe: | Technology and design in electronic equipment |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714997 |
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| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)
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Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
von: A. V. Naumov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
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Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
von: A. G. Golenkov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
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von: Kaliuzhnyi, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2021)
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von: Golenkov, A.G., et al.
Veröffentlicht: (2015)
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von: Stempitsky, V. R., et al.
Veröffentlicht: (2017)
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von: M. Bataev, et al.
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von: Ya. M. Olikh, et al.
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Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
von: V. P. Kladko, et al.
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von: V. V. Korotyeyev, et al.
Veröffentlicht: (2019)
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Veröffentlicht: (1999)
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Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
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