Concentration dependences of the electron effective mass, Fermi energy, and filling of subbands in doped InAs/AlSb quantum wells
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автори: | P. J. Baymatov, B. T. Abdulazizov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2017
|
Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000723834 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Concentration dependences of the electron effective mass, Fermi energy, and filling of subbands in doped InAs/AlSb quantum wells
за авторством: P. J. Baymatov, та інші
Опубліковано: (2017) -
Квантовый эффект Холла в двойной квантовой яме InAs/AlSb
за авторством: Якунин, М.В., та інші
Опубліковано: (2009) -
Концентрацiйна залежнiсть ефективної маси електрона, енергiї фермi i заповнення мiнiзон у легованiй квантовiй ямi InAs/AlSb
за авторством: Baymatov, P. J., та інші
Опубліковано: (2018) -
Resonance Raman scattering by intersubband plasmon-phonon excitations in InAs/AlSb structures
за авторством: Valakh, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2003) -
The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2018)