Concentration dependences of the electron effective mass, Fermi energy, and filling of subbands in doped InAs/AlSb quantum wells
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | P. J. Baymatov, B. T. Abdulazizov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2017
|
| Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000723834 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Concentration dependences of the electron effective mass, Fermi energy, and filling of subbands in doped InAs/AlSb quantum wells
за авторством: P. J. Baymatov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: P. J. Baymatov, та інші
Опубліковано: (2017)
Resonance Raman scattering by intersubband plasmon-phonon excitations in InAs/AlSb structures
за авторством: Valakh, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Valakh, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2003)
The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2018)
The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2018)
Germanium quantum well with two subbands occupied: kinetic properties
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2017)
Germanium quantum well with two subbands occupied: kinetic properties
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2017)
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)
InAs quantum dots embedded into anti-modulation-doped GaAs superlattice structures
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Intrinsic concentration dependences in the HgCdTe quantum well in the range of the insulator-semimetal topological transition
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
Composition and concentration dependences of electron mobility in semi-metal Hg₁₋xCdxTe quantum wells
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2015)
Intrinsic concentration dependences in the HgCdTe quantum well in the range of the insulator-semimetal topological transition
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Features of magnetotransport in heterostructures with selectively doped quantum wells
за авторством: V. V. Vajnberg, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. V. Vajnberg, та інші
Опубліковано: (2014)
Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-citric acid etching composition
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Composition and concentration dependences of electron mobility in semi-metal Hg1-xCdxTe quantum wells
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2015)
Characteristics of the dependences of mobility and concentration of charge carriers in monocrystals CdSb(In) after γ-irradiation
за авторством: Fedosov, A.V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Fedosov, A.V., та інші
Опубліковано: (2007)
Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots
за авторством: Martin, P.M., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Martin, P.M., та інші
Опубліковано: (1998)
InAs photodiodes (review)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)
InAs фотодіоди (огляд)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2015)
Thermoelectricity of lead telluride doped with Sb and Bi
за авторством: M. O. Galuschak, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. O. Galuschak, та інші
Опубліковано: (2014)
Concentration dependences of dielectric parameters of impurity-doped K2SO4 crystals
за авторством: Yo. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Yo. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2022)
Concentration dependences of dielectric parameters of impurity-doped K2SO4 crystals
за авторством: V. Y. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: V. Y. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2022)
Dependence of PbMoO₄ crystal damage threshold on Nd³⁺ concentration and method of doping
за авторством: Baumer, V.N., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Baumer, V.N., та інші
Опубліковано: (2010)
Synthesis, properties and mechanisms of doping with Sb of thermoelectric lead telluride PbTe:Sb
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2013)
Photoemission study of the electronic structure of praseodymium filled skutterudite (PrOs₄Sb₁₂)
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2011)
Energy spectrum of a doubly orbitally degenerate model with non-equivalent subbands
за авторством: Didukh, L., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Didukh, L., та інші
Опубліковано: (2001)
Soil massif permeability pattern research at vertical well water fill
за авторством: Velychko, V.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Velychko, V.
Опубліковано: (2016)
Soil massif permeability pattern research at vertical well water fill
за авторством: V. V. Velychko
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. V. Velychko
Опубліковано: (2016)
Models and algorithms for mass concentration
за авторством: Glasko, V.V.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Glasko, V.V.
Опубліковано: (2013)
Models and algorithms of mass concentrations
за авторством: Ju. V. Glasko
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ju. V. Glasko
Опубліковано: (2013)
Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Electronic structure, Fermi surface and x-ray magnetic circular dichroism in the CeAgSb2
за авторством: V. N. Antonov
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. N. Antonov
Опубліковано: (2019)
Quasilinear theory of quantum Fermi liquid
за авторством: Tsintsadze, Nodar L., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Tsintsadze, Nodar L., та інші
Опубліковано: (2016)
Quasilinear theory of quantum Fermi liquid
за авторством: N. L. Tsintsadze, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: N. L. Tsintsadze, та інші
Опубліковано: (2016)
Схожі ресурси
-
Concentration dependences of the electron effective mass, Fermi energy, and filling of subbands in doped InAs/AlSb quantum wells
за авторством: P. J. Baymatov, та інші
Опубліковано: (2017) -
Resonance Raman scattering by intersubband plasmon-phonon excitations in InAs/AlSb structures
за авторством: Valakh, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2003) -
The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2018) -
The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2018) -
Germanium quantum well with two subbands occupied: kinetic properties
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2017)