Concerning the depletion width of a radial p-n junction and its influence on electrical properties of the diode
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автор: | V. L. Borblik |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2017
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000741619 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Electrostatics of the nanowire radial p-i-n diode
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2019) -
Properties of junction diodes under conditions of bisotropic strains
за авторством: Borblik, V.L.
Опубліковано: (2009) -
Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: O. V. Tretyak, та інші
Опубліковано: (2010) -
Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: Tretyak, O.V., та інші
Опубліковано: (2010) -
Approaching to an optimal value of rise time in n-well/p substrate photodiode by controlling depletion layer width
за авторством: Emad Hameed Hussein
Опубліковано: (2009)