Concerning the depletion width of a radial p-n junction and its influence on electrical properties of the diode

Concerning the depletion width of a radial p-n junction and its influence on electrical properties of the diode

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2017
Автор:	V. L. Borblik
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2017
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000741619
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!

Репозиторії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Electrostatics of the nanowire radial p-i-n diode
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2019)

Properties of junction diodes under conditions of bisotropic strains
за авторством: Borblik, V.L.
Опубліковано: (2009)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: O. V. Tretyak, та інші
Опубліковано: (2010)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: Tretyak, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Approaching to an optimal value of rise time in n-well/p substrate photodiode by controlling depletion layer width
за авторством: Emad Hameed Hussein
Опубліковано: (2009)

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

Effect of surface conductivity on electrical properties of mesa-structure InAs p—n-junctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2010)

A new method of extraction of a p-n diode series resistance from I-V characteristics and its application to analysis of low-temperature conduction of the diode base
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2009)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)

Combinatorial properties of P-posets of width 2
за авторством: V. M. Bondarenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: O. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)

Volt-ampere characteristic and induced current in the external circuit of avalanche-generator diodes on the basis of the back displaced abrupt p–n-junctions
за авторством: K. A. Lukin, та інші
Опубліковано: (2015)

Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Influence of Depletion Transition Layers on Surface Polaritons in Semiconductor Films
за авторством: Beletskij, N. N., та інші
Опубліковано: (2012)

Relaxation of silicon non-equilibrium depletion with majority charge carriers in strong electric fields, its mechanisms and ways to damp it
за авторством: Primachenko, V.E., та інші
Опубліковано: (2008)

Dynamics of the oil reservoir depletion
за авторством: Lubkov, M.V., та інші
Опубліковано: (2023)

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2017)

Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)

Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes
за авторством: Gontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Directional depletion interactions in shaped particles
за авторством: Scala, A., та інші
Опубліковано: (2014)

Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2012)

Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2012)

Effect of internal electrical field on compositional dependence of p-n junction depth in ion milled p-CdxHg₁₋xTe
за авторством: Izhnin, I.I., та інші
Опубліковано: (2005)

Electrical and optical characteristics of GaP diodes, irradiated with 2 MeV electrons
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)

Millimeter wave p—i—n-diode switching controlled devices
за авторством: N. F. Karushkin, та інші
Опубліковано: (2016)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: Sukach, A., та інші
Опубліковано: (2014)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: A. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)

Concerning income qualification that influences alterations in person of declaration property
за авторством: O. V. Hedziuk
Опубліковано: (2017)

Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of "deep" p–n-junction
за авторством: A. V. Kozinetz, та інші
Опубліковано: (2017)

Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of "deep" p–n-junction
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2017)

Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese
за авторством: Charikova, T., та інші
Опубліковано: (2015)

Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese
за авторством: T. Charikova, та інші
Опубліковано: (2015)

About manifestation of the piezojunction effect in diode temperature sensors
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2003)

Effect of mechanical stress on operation of diode temperature sensors
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2002)

Heated electrons and holes in asymmetric p-n-junction located in the microwave field
за авторством: M. G. Dadamirzaev
Опубліковано: (2013)