Concerning the depletion width of a radial p-n junction and its influence on electrical properties of the diode
Gespeichert in:
| Datum: | 2017 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | V. L. Borblik |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2017
|
| Schriftenreihe: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000741619 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
Concerning the depletion width of a radial - junction and its influence on electrical properties of the diode
von: Borblik, V.L.
Veröffentlicht: (2017)
von: Borblik, V.L.
Veröffentlicht: (2017)
Electrostatics of the nanowire radial p-i-n diode
von: V. L. Borblik
Veröffentlicht: (2019)
von: V. L. Borblik
Veröffentlicht: (2019)
Electrostatics of the nanowire radial -- diode
von: Borblik, V.L.
Veröffentlicht: (2019)
von: Borblik, V.L.
Veröffentlicht: (2019)
Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
von: Tretyak, O.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Tretyak, O.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
von: O. V. Tretyak, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: O. V. Tretyak, et al.
Veröffentlicht: (2010)
Approaching to an optimal value of rise time in n-well/p substrate photodiode by controlling depletion layer width
von: Emad Hameed Hussein
Veröffentlicht: (2009)
von: Emad Hameed Hussein
Veröffentlicht: (2009)
Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
von: Sukach, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Sukach, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Effect of surface conductivity on electrical properties of mesa-structure InAs p—n-junctions
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2010)
Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
von: V. L. Borblik, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: V. L. Borblik, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
von: Borblik, V.L., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Borblik, V.L., et al.
Veröffentlicht: (2011)
A new method of extraction of a p-n diode series resistance from I-V characteristics and its application to analysis of low-temperature conduction of the diode base
von: Borblik, V.L., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Borblik, V.L., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Volt-ampere characteristic and induced current in the external circuit of avalanche-generator diodes on the basis of the back displaced abrupt p–n-junctions
von: K. A. Lukin, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: K. A. Lukin, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
von: O. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: O. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
von: Konoreva, O., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Konoreva, O., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Combinatorial properties of P-posets of width 2
von: V. M. Bondarenko, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: V. M. Bondarenko, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Influence of Depletion Transition Layers on Surface Polaritons in Semiconductor Films
von: Beletskij, N. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Beletskij, N. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)
New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures
von: V. L. Borblik, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: V. L. Borblik, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Dynamics of the oil reservoir depletion
von: Lubkov, M.V., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Lubkov, M.V., et al.
Veröffentlicht: (2023)
Relaxation of silicon non-equilibrium depletion with majority charge carriers in strong electric fields, its mechanisms and ways to damp it
von: Primachenko, V.E., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Primachenko, V.E., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
von: Borzakovskyj, A., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Borzakovskyj, A., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes
von: Gontaruk, O.M., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Gontaruk, O.M., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts
von: O. V. Kozynets, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: O. V. Kozynets, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts
von: O. V. Kozynets, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: O. V. Kozynets, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Effect of internal electrical field on compositional dependence of p-n junction depth in ion milled p-CdxHg₁₋xTe
von: Izhnin, I.I., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Izhnin, I.I., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Millimeter wave p—i—n-diode switching controlled devices
von: N. F. Karushkin, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: N. F. Karushkin, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
von: Sukach, A., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Sukach, A., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
von: A. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: A. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Electrical and optical characteristics of GaP diodes, irradiated with 2 MeV electrons
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Optimisation of big N-width digits multiplication based on N-width DFT
von: Tereshchenko, A.N., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Tereshchenko, A.N., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode
von: A. V. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: A. V. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
von: Sukach, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Sukach, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Heated electrons and holes in asymmetric p-n-junction located in the microwave field
von: M. G. Dadamirzaev
Veröffentlicht: (2013)
von: M. G. Dadamirzaev
Veröffentlicht: (2013)
Peculiarities of preparation of CdTe p-n junctions and carrier transport in them
von: A. T. Voroshchenko, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: A. T. Voroshchenko, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Concerning income qualification that influences alterations in person of declaration property
von: O. V. Hedziuk
Veröffentlicht: (2017)
von: O. V. Hedziuk
Veröffentlicht: (2017)
New approach to the efficiency increase problem for multi-junction silicon photovoltaic converters with vertical diode cells
von: Kopach, V.R., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Kopach, V.R., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese
von: T. Charikova, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: T. Charikova, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Ähnliche Einträge
-
Concerning the depletion width of a radial - junction and its influence on electrical properties of the diode
von: Borblik, V.L.
Veröffentlicht: (2017) -
Electrostatics of the nanowire radial p-i-n diode
von: V. L. Borblik
Veröffentlicht: (2019) -
Electrostatics of the nanowire radial -- diode
von: Borblik, V.L.
Veröffentlicht: (2019) -
Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
von: Tretyak, O.V., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
von: O. V. Tretyak, et al.
Veröffentlicht: (2010)