Borblik, V. L., Shwarts, Y. M., Shwarts, M. M., & Aleinikov, A. B. (2017). New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Borblik, V. L., Yu. M. Shwarts, M. M. Shwarts, та A. B. Aleinikov. New Evidence of the Hopping Nature of the Excess Tunnel Current in Heavily Doped Silicon P-n Diodes at Cryogenic Temperatures. 2017.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Borblik, V. L., et al. New Evidence of the Hopping Nature of the Excess Tunnel Current in Heavily Doped Silicon P-n Diodes at Cryogenic Temperatures. 2017.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.