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New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2017
Hauptverfasser:	V. L. Borblik, Yu. M. Shwarts, M. M. Shwarts, A. B. Aleinikov
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2017
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000741624
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