Analysis of a quantum well structure optical integrated device
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | Sh. M. Eladl, M. H. Saad |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2017
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000741626 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Modeling of photons trapping effect on the performance of HPT-LED Optoelectronic Integrated Device (OEID)
за авторством: Eladl, Sh.M.
Опубліковано: (2009) -
Dynamic characteristics of QWIP-HBT-LED optoelectronic integrated devices
за авторством: Eladl, Sh.M., та інші
Опубліковано: (2009) -
Many particle and bandstructure effects in intersubband quantum well optics
за авторством: Pereira Jr., M.F.
Опубліковано: (2003) -
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012) -
Many-body theory of all-optical quantum well logic gates
за авторством: Pereira Jr., M.F., та інші
Опубліковано: (2002)