Зображення обкладинки

Analysis of a quantum well structure optical integrated device

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2017
Автори:	Sh. M. Eladl, M. H. Saad
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2017
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000741626
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Analysis of a quantum well structure optical integrated device
за авторством: Eladl, Sh.M., та інші
Опубліковано: (2017)

Modeling of photons trapping effect on the performance of HPT-LED Optoelectronic Integrated Device (OEID)
за авторством: Eladl, Sh.M.
Опубліковано: (2009)

Dynamic characteristics of QWIP-HBT-LED optoelectronic integrated devices
за авторством: Eladl, Sh.M., та інші
Опубліковано: (2009)

Many particle and bandstructure effects in intersubband quantum well optics
за авторством: Pereira Jr., M.F.
Опубліковано: (2003)

A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)

Many-body theory of all-optical quantum well logic gates
за авторством: Pereira Jr., M.F., та інші
Опубліковано: (2002)

Fluctuations in quantum devices
за авторством: Haken, H.
Опубліковано: (2004)

Electro-optic effect in GaN/Al₀.₁₅Ga₀.₈₅N single quantum wells for optical switch
за авторством: Elkadadra, A., та інші
Опубліковано: (2010)

Exciton condensation in quantum wells
за авторством: Sugakov, V.I.
Опубліковано: (2006)

Quantum effects in a germanium quantum well with ultrahigh carrier mobility
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2019)

Strain effects on the valence band structure, optical transitions, and light gain spectrums in zinc-blende GaN quantum wells
за авторством: Lokot, L.O.
Опубліковано: (2008)

Alloy scattering in quantum well wire structures of semiconductor ternaries
за авторством: Ibragimov, G.B.
Опубліковано: (2002)

Ordered Dissipative Structures in Exciton Systems in Semiconductor Quantum Wells
за авторством: Chernyuk, A.A., та інші
Опубліковано: (2006)

Temperature dependence of quantum lifetime in n-InGaAs/GaAs structures with double stronglycoupled quantum wells
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)

Electro-optic effect in GaN/Al0. 15Ga0. 85N single quantum wells for optical switch
за авторством: A. Elkadadra, та інші
Опубліковано: (2010)

Properties of a charge in the nanoheterosystems with quantum wells and barriers
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2010)

HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)

HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)
за авторством: H. Sghaier, та інші
Опубліковано: (2012)

Ground frequency spectrum device for treatment of drilling fluid in drilling wells
за авторством: O. M. Davydenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Interaction between an isotropic nanoparticle and drifting electrons in a quantum well
за авторством: V. A. Kochelap, та інші
Опубліковано: (2012)

Interaction between an isotropic nanoparticle and drifting electrons in a quantum well
за авторством: V. O. Kochelap, та інші
Опубліковано: (2012)

Oscillations of thermoelectric parameters of quantum wells lead chalcogenides
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2011)

A New Model of Quantum Dot Light Emitting-Absorbing Devices
за авторством: H. Neidhardt, та інші
Опубліковано: (2014)

A New Model of Quantum Dot Light Emitting-Absorbing Devices
за авторством: Neidhardt, H., та інші
Опубліковано: (2014)

Multi-Well Potentials in Quantum Mechanics and Stochastic Processes
за авторством: Berezovoj, V.P., та інші
Опубліковано: (2010)

Experimental and theoretical study principle of the device interval standardized clean well
за авторством: A. N. Davidenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Structural changes in multilayer systems containing InxGa₁₋xAs₁₋yNy quantum wells
за авторством: Fodchuk, I.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Neutral and charged excitons in a CdTe-based quantum well
за авторством: Gaj, J.A., та інші
Опубліковано: (2004)

Amplification of localized acoustic waves by the electron drift in a quantum well
за авторством: Demidenko, A. A., та інші
Опубліковано: (1999)

Photodetector device for fiber optical telecommunication systems
за авторством: N. O. Andreyeva, та інші
Опубліковано: (2019)

Photodetector device for fiber-optical telecommunication systems
за авторством: Andreyeva, N.O., та інші
Опубліковано: (2019)

Fluctuations of piezoelectric polarization in III-nitride quantum wells
за авторством: A. V. Zinovchuk, та інші
Опубліковано: (2023)

Fluctuations of piezoelectric polarization in III-nitride quantum wells
за авторством: A. V. Zinovchuk, та інші
Опубліковано: (2023)

Features of magnetotransport in heterostructures with selectively doped quantum wells
за авторством: V. V. Vajnberg, та інші
Опубліковано: (2014)

Analysis and estimation of effectiveness of decisions during drilling wells
за авторством: G. M. Efendiev, та інші
Опубліковано: (2017)

Photon Green’s functions theory for Coulomb correlated quantum well lasers
за авторством: Pereira Jr., M.F.
Опубліковано: (2004)

Germanium quantum well with two subbands occupied: kinetic properties
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2017)

Germanium quantum well with two subbands occupied: kinetic properties
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2017)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)