Analysis of a quantum well structure optical integrated device
Gespeichert in:
| Datum: | 2017 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Sh. M. Eladl, M. H. Saad |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2017
|
| Schriftenreihe: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000741626 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
-
Modeling of photons trapping effect on the performance of HPT-LED Optoelectronic Integrated Device (OEID)
von: Eladl, Sh.M.
Veröffentlicht: (2009) -
Dynamic characteristics of QWIP-HBT-LED optoelectronic integrated devices
von: Eladl, Sh.M., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Many particle and bandstructure effects in intersubband quantum well optics
von: Pereira Jr., M.F.
Veröffentlicht: (2003) -
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
von: Sghaier, H., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Many-body theory of all-optical quantum well logic gates
von: Pereira Jr., M.F., et al.
Veröffentlicht: (2002)