Зображення обкладинки

Impact of traps on current-voltage characteristic of n+-n-n+ diode

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2017
Автор:	P. M. Kruglenko
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2017
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000741627
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Impact of traps on current-voltage characteristic of ⁺--⁺ diode
за авторством: Kruglenko, P.M.
Опубліковано: (2017)

Current instabilities in resonant tunnelling diodes based on GaN/AlN heterojunctions
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2004)

Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au-TiB2-n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics
за авторством: Ya. Ya. Kudryk, та інші
Опубліковано: (2014)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: Tretyak, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: O. V. Tretyak, та інші
Опубліковано: (2010)

Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects
за авторством: Dubovyi, V.K., та інші
Опубліковано: (2005)

Impact ionization in short AlzGa1–zN-based diodes
за авторством: O. V. Botsula, та інші
Опубліковано: (2016)

The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n+CdS heterostructures
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)

Graded-gap AlInN Gunn diodes
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2012)

On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)

Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Current-voltage characteristics of the injection photodiode based on M(In)-nCdS-pSi-M(In) structure
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2019)

Volt-ampere characteristic and induced current in the external circuit of avalanche-generator diodes on the basis of the back displaced abrupt p–n-junctions
за авторством: K. A. Lukin, та інші
Опубліковано: (2015)

A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
за авторством: Zozulia, V. O., та інші
Опубліковано: (2024)

Peculiarities of study of Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes
за авторством: P. M. Romanets, та інші
Опубліковано: (2019)

Peculiarities of the study of Au-Ti-Pd-n⁺-n-n⁺-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes
за авторством: Romanets, P.M., та інші
Опубліковано: (2019)

Electrostatics of the nanowire radial p-i-n diode
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2019)

Structure and current-voltage characteristics of islet gold films on high-heat conducting pressureless sintered AlN ceramics
за авторством: I. P. Fesenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)

Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)

Theoretical and experimental modelling the specific resistance of vertical ohmic contacts Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si in IMPATT diodes
за авторством: P. M. Romanets, та інші
Опубліковано: (2016)

Theoretical and experimental modelling the specific resistance of vertical ohmic contacts Au–Ti–Pd–n⁺-n-n⁺-Si in IMPATT diodes
за авторством: Romanets, P.M., та інші
Опубліковано: (2016)

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2017)

Millimeter wave p—i—n-diode switching controlled devices
за авторством: N. F. Karushkin, та інші
Опубліковано: (2016)

Spectroscopic study of cluster structure of n-hexanol trapped in an argon matrix
за авторством: Ju. Doroshenko
Опубліковано: (2017)

A new method of extraction of a p-n diode series resistance from I-V characteristics and its application to analysis of low-temperature conduction of the diode base
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2009)

Terahertz oscillations in InN Gunn diodes with an active region length of 1 μm and with a graded GaInN layer
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2022)

TERAHERTZ OSCILLATIONS IN InN GUNN DIODES WITH AN ACTIVE REGION LENGTH OF 1 μm AND WITH A GRADED GaInN LAYER
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2023)

Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)

Effect of technology parameters on the quality of nZnSe(X)/Ni Schottky diodes
за авторством: Katrunov, K.A., та інші
Опубліковано: (2008)

Ð—Ð´Ð°Ñ‚Ð½Ñ–ÑÑ‚ÑŒ Ñ€Ñ–Ð·Ð½Ð¸Ñ… Ð·Ð° Ð²Ñ–ÐºÐ¾Ð¼ ÐµÑ€Ð¸Ñ‚Ñ€Ð¾Ñ†Ð¸Ñ‚Ñ–Ð² Ð´Ð¾ ÐºÐ¸ÑÐ»Ð¾Ñ€Ð¾Ð´-Ñ‚Ñ€Ð°Ð½ÑÐ¿Ð¾Ñ€Ñ‚Ð½Ð¾Ñ— Ñ„ÑƒÐ½ÐºÑ†Ñ–Ñ— Ñ‚Ð° Ð·Ð¼Ñ–Ð½Ð° Ñ—Ñ… Ð¶Ð¾Ñ€ÑÑ‚ÐºÐ¾ÑÑ‚Ñ– Ñƒ Ð¿Ñ€Ð¾Ñ†ÐµÑÑ– Ð³Ñ–Ð¿Ð¾Ñ‚ÐµÑ€Ð¼Ñ–Ñ‡Ð½Ð¾Ð³Ð¾ Ð·Ð±ÐµÑ€Ñ–Ð³Ð°Ð½Ð½Ñ
за авторством: Mykhailova, Olga O., та інші
Опубліковано: (2019)

ÐÐµÑ„Ñ€Ð¾Ð¿Ñ€Ð¾Ñ‚ÐµÐºÑ‚Ð¾Ñ€Ð½Ð¸Ð¹ ÐµÑ„ÐµÐºÑ‚ ÐºÑ€Ñ–Ð¾ÐµÐºÑÑ‚Ñ€Ð°ÐºÑ‚Ñƒ Ð¿Ð»Ð°Ñ†ÐµÐ½Ñ‚Ð¸ Ð¿Ñ€Ð¸ Ð¼Ð¾Ð´ÐµÐ»ÑŽÐ²Ð°Ð½Ð½Ñ– Ð³Ð¾ÑÑ‚Ñ€Ð¾Ñ— Ð½Ð¸Ñ€ÐºÐ¾Ð²Ð¾Ñ— Ð½ÐµÐ´Ð¾ÑÑ‚Ð°Ñ‚Ð½Ð¾ÑÑ‚Ñ– Ñƒ Ñ‰ÑƒÑ€Ñ–Ð²
за авторством: Vaskovych, Artem M., та інші
Опубліковано: (2019)

Be-ion implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication and characterization
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2018)

ÐŸÐ¾Ñ€Ñ–Ð²Ð½ÑÐ»ÑŒÐ½Ð° Ñ…Ð°Ñ€Ð°ÐºÑ‚ÐµÑ€Ð¸ÑÑ‚Ð¸ÐºÐ° Ð¿Ñ€Ð¾Ñ‚ÐµÐºÑ‚Ð¾Ñ€Ð½Ð¾Ñ— Ð´Ñ–Ñ— ÐºÑ€Ñ–Ð¾ÐºÐ¾Ñ€Ð´Ñƒ-Ð¡ Ñ– Ð±Ñ–Ð¾Ñ‚Ñ€Ð¸Ñ‚Ñƒ Ð² Ð¿Ñ€Ð¾Ñ„Ñ–Ð»Ð°ÐºÑ‚Ð¸Ñ†Ñ– Ð¿Ð°Ñ‚Ð¾Ð»Ð¾Ð³Ñ–Ñ— Ð¿ÐµÑ‡Ñ–Ð½ÐºÐ¸ Ñ‚Ð° Ð¾Ñ€Ð³Ð°Ð½Ñ–Ð² Ñ€ÐµÐ¿Ñ€Ð¾Ð´ÑƒÐºÑ‚Ð¸Ð²Ð½Ð¾Ñ— ÑÐ¸ÑÑ‚ÐµÐ¼Ð¸
за авторством: Mozgovoj, Yu. S., та інші
Опубліковано: (2003)

Be-ion-implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication, and characterization
за авторством: Korotyeyev, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Ð£Ð»ÑŒÑ‚Ñ€Ð°ÑÑ‚Ñ€ÑƒÐºÑ‚ÑƒÑ€Ð½Ñ– Ð£Ð»ÑŒÑ‚Ñ€Ð°ÑÑ‚Ñ€ÑƒÐºÑ‚ÑƒÑ€Ð½Ñ– Ñ…Ð°Ñ€Ð°ÐºÑ‚ÐµÑ€Ð¸ÑÑ‚Ð¸ÐºÐ¸ ÑÐ¿ÐµÑ€Ð¼Ñ–Ñ—Ð² Ð»ÑŽÐ´Ð¸Ð½Ð¸ Ð¿Ñ–ÑÐ»Ñ ÐºÑ€Ñ–Ð¾ÐºÐ¾Ð½ÑÐµÑ€Ð²ÑƒÐ²Ð°Ð½Ð½Ñ ÑˆÐ»ÑÑ…Ð¾Ð¼ Ð²Ñ–Ñ‚Ñ€Ð¸Ñ„Ñ–ÐºÐ°Ñ†Ñ–Ñ— Ð· Ð¿Ð¾Ð»Ñ–Ð²Ñ–Ð½Ñ–Ð»Ð¿Ñ–Ñ€Ð¾Ð»Ñ–Ð´Ð¾Ð½Ð¾Ð¼ÑÐ¿ÐµÑ€Ð¼Ñ–Ñ—Ð² Ð»ÑŽÐ´Ð¸Ð½Ð¸ Ð¿Ñ–ÑÐ»Ñ ÐºÑ€Ñ–Ð¾ÐºÐ¾Ð½ÑÐµÑ€Ð²ÑƒÐ²Ð°Ð½Ð½Ñ ÑˆÐ»ÑÑ…Ð¾Ð¼ Ð²Ñ–Ñ‚Ñ€Ð¸Ñ„Ñ–ÐºÐ°Ñ†Ñ–Ñ— Ð· Ð¿Ð¾Ð»Ñ–Ð²Ñ–Ð½Ñ–Ð»Ð¿Ñ–Ñ€Ð°Ð»Ñ–Ð´Ð¾Ð½Ð¾Ð¼
за авторством: Hapon, Hanna O., та інші
Опубліковано: (2019)

Ð”Ð¾ Ñ„Ñ€Ð°ÐºÑ‚Ð°Ð»ÑŒÐ½Ð¸Ñ… Ð¼ÐµÑ…Ð°Ð½Ñ–Ð·Ð¼Ñ–Ð² ÑÑ‚Ñ€ÑƒÐºÑ‚ÑƒÑ€Ð½Ð¾-Ñ„ÑƒÐ½ÐºÑ†Ñ–Ð¾Ð½Ð°Ð»ÑŒÐ½Ð¾Ð³Ð¾ ÑÑ‚Ð°Ð½Ñƒ Ñ†ÐµÐ½Ñ‚Ñ€Ñ–Ð² Ñ‚ÐµÑ€Ð¼Ð¾Ñ€ÐµÐ³ÑƒÐ»ÑÑ†Ñ–Ñ— Ð¿Ñ€Ð¸ Ð³Ñ–Ð¿Ð¾Ñ‚ÐµÑ€Ð¼Ñ–Ñ— Ð¹ Ð³Ñ–Ð±ÐµÑ€Ð½Ð°Ñ†Ñ–Ñ—
за авторством: Marchenko, V. S., та інші
Опубліковано: (2005)