Quantum-size effects in semiconductor heterosystems
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автори: | L. A. Matveeva, E. F. Venger, Yu. Kolyadina, P. L. Neluba |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2017
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000741629 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Diagnosis of semiconductor heterosystems using the photovoltaic method
за авторством: L. V. Shekhovtsov
Опубліковано: (2021) -
Features studies of transition layers in semiconductor heterosystems
за авторством: L. V. Shekhovtsov, та інші
Опубліковано: (2021) -
Analysis of the fundamental absorption edge of the films obtained from the C60 fullerene molecular beam in vacuum and effect of internal mechanical stresses on it
за авторством: Yu. Kolyadina, та інші
Опубліковано: (2015) -
Analysis of the fundamental absorption edge of the films obtained from the C₆₀ fullerene molecular beam in vacuum and effect of internal mechanical stresses on it
за авторством: Kolyadina, E.Yu., та інші
Опубліковано: (2015) -
Quantum-sized effects in oxidized silicon structures with surface II-VI nanocrystals
за авторством: Karachevtseva, L., та інші
Опубліковано: (2014)