Determination of the activation energy of A-center in the uniaxially deformed n-Ge single crystals
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | S. V. Lunov, A. I. Zimych, P. F. Nazarchuk, S. A. Moroz, L. M. Polishchuk, V. T. Masliuk, I. H. Mehela |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2017
|
| Назва видання: | Nuclear physics and atomic energy |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000745613 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2016)
Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2019)
The method of shear modulus determination for n-Ge and n-Si single crystals
за авторством: V. I. Shvabiuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. I. Shvabiuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2015)
Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2019)
Efficiency of H center stabilization in alkali halide crystals at low-temperature uniaxial deformation
за авторством: N. Zhanturina, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: N. Zhanturina, та інші
Опубліковано: (2020)
The impact of heat treatment on the magnetic sensitivity of irradiated by electrons single crystals n-Ge
за авторством: Luniov, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Luniov, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Some peculiarities of thermopower anisotropy in undeformed and elastically deformed n – Si and n – Ge single crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2015)
Experimental proof of the shape constancy for isoenergetic ellipsoids in n–Ge under strong uniaxial elastic deformation
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2015)
Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2015)
Component analysis of phonon spectra dychroidism in uniaxially deformed silicon crystal
за авторством: Ye. Matiash, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ye. Matiash, та інші
Опубліковано: (2018)
Temperature effect on light polarization in uniaxial crystals
за авторством: M. R. Kulish, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: M. R. Kulish, та інші
Опубліковано: (2016)
Temperature effect on light polarization in uniaxial crystals
за авторством: Kulish, M.R., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Kulish, M.R., та інші
Опубліковано: (2016)
Experimental evidence of invariability in the shape of n‑Ge isoenergetic ellipsoids influenced by strong uniaxial elastic strains
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)
Formation mechanisms and geometry of the crack assemble formed under uniaxial cyclic compression of NaCl single crystals
за авторством: Boyko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Boyko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2012)
Changing of the anisotropy parameter of mobility in n-Ge single crystals with heterogeneous distribution of doping impurity
за авторством: D. A. Zakharchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: D. A. Zakharchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2015)
Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2012)
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2012)
Deformation potential constants Ξu and Ξd in n-Si determined with the use of the tensoresistance effect
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2012)
Propagation of linearly polarized light in a heated uniaxial CdS crystal
за авторством: S. V. Virko, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: S. V. Virko, та інші
Опубліковано: (2019)
The features of phonon component of linear dichroism in uniaxially strained silicon crystals
за авторством: Serdega, B.K., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Serdega, B.K., та інші
Опубліковано: (2003)
Electrical and optical properties of AgGaGe2S2Se4 single crystals
за авторством: G. L. Myronchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: G. L. Myronchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Electrical and optical properties of AgGaGe2S2Se4 single crystals
за авторством: H. L. Myronchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: H. L. Myronchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Birefringence properties of uniaxially compressed K2SO4 crystals
за авторством: Yo. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Yo. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2013)
Birefringence properties of uniaxially compressed K2SO4 crystals
за авторством: V. Y. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. Y. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2013)
Deformation-stimulated Ex luminescence in a RbI single crystal
за авторством: K. Shunkeev, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: K. Shunkeev, та інші
Опубліковано: (2019)
Transformation of impurity-defect centers in single crystals CdTe: Cl under the influence of microwaves
за авторством: N. D. Vakhnyak, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: N. D. Vakhnyak, та інші
Опубліковано: (2017)
Model of TSL-centers in Li₂B₄O₇:A (A = Cu, Ag) single crystals
за авторством: Adamiv, V.T., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Adamiv, V.T., та інші
Опубліковано: (2005)
Lifshitz topological transitions induced by doping and deformation in single-crystal Bi wires
за авторством: A. A. Nikolaeva, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. A. Nikolaeva, та інші
Опубліковано: (2017)
Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)
Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)
Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge &lt;As&gt; single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2015)
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2015)
Influence of Cu-, Sn-, and In-doping on optical properties of AgGaGe3 Se8 single crystals
за авторством: A. S. Krymus, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. S. Krymus, та інші
Опубліковано: (2016)
Influence of Cu-, Sn-, and In-doping on optical properties of AgGaGe3 Se8 single crystals
за авторством: A. S. Krymus, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. S. Krymus, та інші
Опубліковано: (2016)
Variations in electrophysical properties of heavily doped single crystals of n-Ge&lt;As&gt; under the effect of thermal annealings
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2018)
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2018)
Study of influence of radiation defects on optical and luminescence properties of CaF2 crystals
за авторством: V. T. Masliuk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. T. Masliuk, та інші
Опубліковано: (2016)
Vibronic interaction in crystals with the Jahn-Teller centers in the elementary energy bands concept
за авторством: Bercha, D.M., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Bercha, D.M., та інші
Опубліковано: (2015)
Theoretical studies of the local structures and EPR parameters for Cu²⁺ center in Cd₂(NH₄)₂(SO₄)₃ single crystal
за авторством: Li, Ch.-Y., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Li, Ch.-Y., та інші
Опубліковано: (2015)
Individual glow bands of Mn²⁺ ions photoluminescence in plastically deformed ZnS single crystals
за авторством: Prokofiev, T.A., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Prokofiev, T.A., та інші
Опубліковано: (2004)
Melting and crystallization in layered film system Ge-Bi
за авторством: S. I. Bogatyrenko, та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: S. I. Bogatyrenko, та інші
Опубліковано: (2004)
Схожі ресурси
-
Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2016) -
Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2019) -
The method of shear modulus determination for n-Ge and n-Si single crystals
за авторством: V. I. Shvabiuk, та інші
Опубліковано: (2017) -
Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2015) -
Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2019)