New ZnO/Au/ZnO multilayer field effect transistor with extended gate as a sensing membrane
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автори: | H. S. Rasheed, Ahmed Naser, M. Z. Matjafri |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2017
|
Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000773492 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Новий Zno/Au/Zno польовий транзистор з широким затвором як сенсорна мембрана
за авторством: Rasheed, H. S., та інші
Опубліковано: (2018) -
Photocatalytic Formation and Photoinduced Charging of ZnO–Au Nanostructures
за авторством: Stroyuk, O.L., та інші
Опубліковано: (2010) -
Взаимодействие в системе ZnS—ZnO—Sb₂S₃
за авторством: Зинченко, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2011) -
Structure and properties of ZnO coatings
за авторством: A. D. Pogrebnjak, та інші
Опубліковано: (2010) -
Interaction in the system ZnS—ZnO—Sb2S3
за авторством: V. F. Zinchenko, та інші
Опубліковано: (2011)