Influence of changes in defect states on the properties of Si–Gd–O photocathode
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автори: | P. V. Melnyk, M. H. Nakhodkin, M. I. Fedorchenko |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2017
|
Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000774523 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Influence of changes in defect states on the properties of Si–Gd–O photocathode
за авторством: P. V. Melnyk, та інші
Опубліковано: (2017) -
Photoelectron emission from Si–Gd–O cathode
за авторством: M. H. Nakhodkin, та інші
Опубліковано: (2016) -
Photoelectron emission from Si–Gd–O cathode
за авторством: M. G. Nakhodkin, та інші
Опубліковано: (2016) -
Фотоелeктронна емiсiя катода Si–Gd–O
за авторством: Nakhodkin, M. G., та інші
Опубліковано: (2019) -
Вплив змiн дефектних станiв на властивостi фотокатода Si–Gd–O
за авторством: Mel’nyk, P. V., та інші
Опубліковано: (2018)