On determination of Cd1–xZnxTe composition from an analysis of the 4.2, 77 and 295 K edge photoluminescence spectra
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автори: | K. D. Glinchuk, V. P. Maslov, O. M. Strilchuk, A. B. Lyapina |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2017
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000778506 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Analysis of luminescence method for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2005) -
Analysis of luminescence method applicability for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003) -
Analysis of photoluminescence of p-Cd1–xZnxTe crystals irradiated by y-quanta
за авторством: N. M. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2010) -
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2010) -
State of Cd₁₋xZnxTe and Cd₁₋xMnxTe surface depending on treatment type
за авторством: Dremlyuzhenko, S.G., та інші
Опубліковано: (2004)