Зображення обкладинки

Modeling of X-ray rocking curves for layers after two-stage ion-implantation

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2017
Автори:	O. I. Liubchenko, V. P. Kladko, Yo. Gudymenko
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2017
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000778515
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Modeling of X-ray rocking curves for layers after two-stage ion-implantation
за авторством: Liubchenko, O.I., та інші
Опубліковано: (2017)

X-Ray Diffractometry of Lanthanum-Doped Iron—Yttrium Garnet Structures after Ion Implantation
за авторством: I. M. Fodchuk, та інші
Опубліковано: (2013)

The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
за авторством: O. I. Liubchenko, та інші
Опубліковано: (2019)

The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
за авторством: Liubchenko, O.I., та інші
Опубліковано: (2019)

Structural-phase changes in the near-surface layers of the titanium alloy TiNi, after ion implantation
за авторством: A. D. Pogrebnjak, та інші
Опубліковано: (2009)

Simulation of X-Ray Diffraction Spectra for AlN/GaN Multiple Quantum Well Structures on AlN(0001) with Interface Roughness and Variation of Vertical Layers Thickness
за авторством: Liubchenko, O.I., та інші
Опубліковано: (2018)

Ion implantation, ion-beam mixing during simultaneous ion implantation and metal deposition
за авторством: M. A. Lisovenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Ion implantation, ion-beam mixing during simultaneous ion implantation and metal deposition
за авторством: Lisovenko, M.A., та інші
Опубліковано: (2013)

Pulse pressure classes and pacing parameters in patients at the annual stage after implantation
за авторством: M. V. Pochinskaja, та інші
Опубліковано: (2017)

Contrast enhancement of X-ray fluorescence spectra using the secondary two-layer radiator
за авторством: Mikhailov, I.F., та інші
Опубліковано: (2011)

Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions
за авторством: D. V. Gamov, та інші
Опубліковано: (2013)

Features of structural changes in mosaic Ge:Sb according to X-ray diffractometry and electron backscatter diffraction data
за авторством: M. D. Borcha, та інші
Опубліковано: (2019)

AES and XPS characterization of TiN layers formed and modified by ion implantation
за авторством: Melnik, V., та інші
Опубліковано: (1999)

Features of structural changes in mosaic Ge:Sb according to X-ray diffractometry and electron backscatter diffraction data
за авторством: Borcha, M.D., та інші
Опубліковано: (2019)

Investigation of photodiode formation processes in insb by using beryllium ion implantation
за авторством: Yu. V. Holtvianskyi, та інші
Опубліковано: (2017)

The research of X-ray and gamma radiation absorption by layered structures
за авторством: Deiev, O.S., та інші
Опубліковано: (2016)

Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry
за авторством: I. M. Fodchuk, та інші
Опубліковано: (2010)

Influence of helium ion implantation on the form of an elementary cell in near-surface layers of single crystals
за авторством: I. P. Yaremii, та інші
Опубліковано: (2013)

Distribution of chemical elements in the surface layer of the films implanted ions SI+ with yttrium iron garnet
за авторством: V. M. Pylypiv, та інші
Опубліковано: (2014)

Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions
за авторством: D. V. Hamov, та інші
Опубліковано: (2013)

Investigation of Plasmon Gold Film Nanostructures by Means of both X-Ray Reflectometry and Diffractometry
за авторством: A. I. Gudymenko, та інші
Опубліковано: (2015)

X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al₂O₃ (0001) substrates
за авторством: Safriuk, N.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Using of X-pinch as a source in X-ray radiography studying of initial stage of wire explosion
за авторством: Agafonov, A.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry
за авторством: Fodchuk, І.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Low-energy X-ray radiation after the biological shielding of electron accelerators
за авторством: Bochek, G.L., та інші
Опубліковано: (2018)

Ion sources optimization for high energy ion implantation by computer simulation
за авторством: Litovko, I.V., та інші
Опубліковано: (2008)

Formation of structural heterogeneity of the near-surface layer of films of iron-yttrium granatos by implantation of Si+ ions
за авторством: B. K. Ostafiichuk, та інші
Опубліковано: (2011)

Simulation and Diagnostics of Strains in the Subsurface Layers of Gadolinium—Gallium Garnet Single Crystals Implanted with F+ Ions
за авторством: V. O. Kotsiubynskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Modelling and diagnostics of damages and strains in a crystal of Gd3Ga5O12 after implantation of F ions
за авторством: V. O. Kotsiubynskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Progress in riboon ion beam implantation systems development
за авторством: Masunov, E.S., та інші
Опубліковано: (2010)

Study of damaged layer depth in thermoelectric materials by X-ray diffraction interferometry
за авторством: V. P. Shafranyuk
Опубліковано: (2016)

Terahertz and soft x rays radiation from suddenly created plasma layer
за авторством: Gildenburg, V.B., та інші
Опубліковано: (2005)

XRF with a primary X-rays from the target with monoisotopical surface layer
за авторством: Levenets, V., та інші
Опубліковано: (2016)

Effect of X-ray suppression system upon parameters of electrostatic accelerator ion beam
за авторством: I. G. Ignatev, та інші
Опубліковано: (2014)

Coherent X-ray radiation by relativistic electron in a structure “amorphous layer - periodic layered medium”
за авторством: Blazhevich, S.V., та інші
Опубліковано: (2016)

X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al2O3(0001) substrates
за авторством: N. V. Safriuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Anisotropy of elastic deformations in multilayer (In,Ga)As/GaAs structures with quantum wires: X-ray diffractometry study
за авторством: Strelchuk, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Diffusion model of defect formation in silicon under light ion implantation
за авторством: Voznyy, M.V., та інші
Опубліковано: (2000)

The study of the oxide coating effect on bone–implant interface formation by means of electron microscopy method with energy dispersive x-ray analysis
за авторством: Gudakova, A.A., та інші
Опубліковано: (2007)

Dynamical Diffractometry of Defects and Strains in Gd3Ga5O12 Garnet Crystals After Implantation with F+ Ions
за авторством: O. S. Skakunova, та інші
Опубліковано: (2013)