Germanium quantum well with two subbands occupied: kinetic properties
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автори: | I. B. Berkutov, V. V. Andrievskii, Yu. F. Komnik, O. A. Mironov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2017
|
Назва видання: | Low Temperature Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000786052 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Germanium quantum well with two subbands occupied: kinetic properties
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2017) -
The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2018) -
The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2018) -
Quantum effects in a germanium quantum well with ultrahigh carrier mobility
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2019) -
Concentration dependences of the electron effective mass, Fermi energy, and filling of subbands in doped InAs/AlSb quantum wells
за авторством: P. J. Baymatov, та інші
Опубліковано: (2017)