The method of shear modulus determination for n-Ge and n-Si single crystals

The method of shear modulus determination for n-Ge and n-Si single crystals

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2017
Автори:	V. I. Shvabiuk, A. V. Matkova, C. V. Lunov
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2017
Назва видання:	Materials Science (Physicochemical mechanics of materials)
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000786616
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2016)

Determination of the activation energy of A-center in the uniaxially deformed n-Ge single crystals
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2017)

Determination of shear modulus of erythrocyte membranes in suspension
за авторством: E. A. Gordienko, та інші
Опубліковано: (2010)

Some peculiarities of thermopower anisotropy in undeformed and elastically deformed n – Si and n – Ge single crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2015)

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2019)

The shear modulus and structure of cartilage tissue
за авторством: L. A. Bulavin, та інші
Опубліковано: (2022)

The shear modulus and structure of cartilage tissue
за авторством: L. A. Bulavin, та інші
Опубліковано: (2022)

Total energy, equation of states and bulk modulus of Si and Ge
за авторством: Jivani, A.R., та інші
Опубліковано: (2002)

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2012)

Influence of γ-irradiation (⁶⁰Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2012)

Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2015)

On the methodology of tensoresistance determination for n-Ge and n-Si in the crystallographic directions 〈110〉
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2019)

The impact of heat treatment on the magnetic sensitivity of irradiated by electrons single crystals n-Ge
за авторством: Luniov, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Mechanisms of electron scattering in uniaxially deformed n-Ge‹Sb, Au› single crystals
за авторством: Luniov, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Investigations of physical mechanisms of metal-insulator transition in highly strained n-Si and n-Ge crystals
за авторством: Budzulyak, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2019)

Magnetic susceptibility of n- and p-Si single crystals containing thermodonors
за авторством: V. M. Babich, та інші
Опубліковано: (2010)

Magnetic susceptibility of n- and p-Si single crystals containing thermodonors
за авторством: Babich, V.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Changing of the anisotropy parameter of mobility in n-Ge single crystals with heterogeneous distribution of doping impurity
за авторством: D. A. Zakharchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2015)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)

Deformation potential constants Ξu and Ξd in n-Si determined with the use of the tensoresistance effect
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2012)

The role of shear modulus and viscosity of thin organic films on the adsorption response of QCM sensors
за авторством: Z. I. Kazantseva, та інші
Опубліковано: (2018)

The Hybrid Model of the Severe-Plastic-Deformation-Induced Anomalous Temperature Dependence of Shear Modulus for Copper
за авторством: N. V. Tokii, та інші
Опубліковано: (2014)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2015)

Investigation of dislocations in Ge single crystals by scanning electron beam
за авторством: Nadtochy, V., та інші
Опубліковано: (2004)

Shear Modulus of a Fiber Composite with a Transtropic Viscolelastic Matrix and Transtropic Elastic Fiber
за авторством: S. N. Grebenyuk, та інші
Опубліковано: (2018)

Shear Modulus of a Fiber Composite with a Transtropic Viscolelastic Matrix and Transtropic Elastic Fiber
за авторством: Grebenyuk, Sergey N., та інші
Опубліковано: (2018)

Shear Modulus of a Fiber Composite with a Transtropic Viscolelastic Matrix and Transtropic Elastic Fiber
за авторством: Grebenyuk, Sergey N., та інші
Опубліковано: (2018)

Shear Modulus of a Fiber Composite with a Transtropic Viscolelastic Matrix and Transtropic Elastic Fiber
за авторством: Grebenyuk, S.N., та інші
Опубліковано: (2018)

Variations in electrophysical properties of heavily doped single crystals of n-Ge<As> under the effect of thermal annealings
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2018)

Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2015)

Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)

До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉
за авторством: Гайдар, Г.П.
Опубліковано: (2019)

Material elastic modulus determination by digital image correlation technique
за авторством: O. P. Maksymenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2005)

Determination of fatigue process zone size by the method of phase-shear interferometry
за авторством: O. P. Ostash, та інші
Опубліковано: (2010)

Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2016)