The method of shear modulus determination for n-Ge and n-Si single crystals
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автори: | V. I. Shvabiuk, A. V. Matkova, C. V. Lunov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2017
|
Назва видання: | Materials Science (Physicochemical mechanics of materials) |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000786616 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Репозиторії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2016) -
Determination of the activation energy of A-center in the uniaxially deformed n-Ge single crystals
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2017) -
Determination of shear modulus of erythrocyte membranes in suspension
за авторством: E. A. Gordienko, та інші
Опубліковано: (2010) -
Some peculiarities of thermopower anisotropy in undeformed and elastically deformed n – Si and n – Ge single crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2015) -
Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2019)