Gladkovskij, V. V., & Fedorovich, O. A. (2017). Investigation of the influence of oxygen on the rate and anisotropy of deep etching of silicon in the plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Gladkovskij, V. V., та O. A. Fedorovich. Investigation of the Influence of Oxygen on the Rate and Anisotropy of Deep Etching of Silicon in the Plasma-chemical Reactor with the Controlled Magnetic Field. 2017.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Gladkovskij, V. V., та O. A. Fedorovich. Investigation of the Influence of Oxygen on the Rate and Anisotropy of Deep Etching of Silicon in the Plasma-chemical Reactor with the Controlled Magnetic Field. 2017.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.