Investigation of the influence of oxygen on the rate and anisotropy of deep etching of silicon in the plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field

Investigation of the influence of oxygen on the rate and anisotropy of deep etching of silicon in the plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2017
Автори:	V. V. Gladkovskij, O. A. Fedorovich
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2017
Назва видання:	Technology and design in electronic equipment
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000798647
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Experimental research of ICP reactor for plasma-chemical etching
за авторством: Dudin, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)

The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon
за авторством: Fedorovich, О.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Influence of the plasma chemical etching on the silicon plates surface of photo electric converters
за авторством: B. P. Polozov, та інші
Опубліковано: (2006)

Development of deep silicon plasma etching for 3D integration technology
за авторством: A. A. Golishnikov, та інші
Опубліковано: (2014)

Automation of measurements of the rate of thin films chemical etching
за авторством: Іваницький, В. П., та інші
Опубліковано: (2024)

Spectroscopic studies of RF discharge plasma at plasma-chemical etching of gallium nitride epitaxial structures
за авторством: V. V. Hladkovskiy, та інші
Опубліковано: (2017)

Spectroscopic studies of RF discharge plasma at plasma-chemical etching of gallium nitride epitaxial structures
за авторством: V. V. Hladkovskiy, та інші
Опубліковано: (2017)

About peculiarities of self-bias voltage formation in plasma-chemical reactors with controlled magnetic fields
за авторством: Hladkovskiy, V.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Automated system for real-time control of plasma-chemical etching process in ICP
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2006)

Features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (LiTaO₃)
за авторством: Fedorovich, O.A., та інші
Опубліковано: (2021)

The influence of HF discharge parameters and heater settings on the substrate temperature in the plasma-chemical reactor "Almaz" for the synthesis of diamond-like carbon films
за авторством: V. V. Gladkovskij, та інші
Опубліковано: (2014)

Obtaining porous silicon suitable for sensor technology using MacEtch nonelectrolytic etching
за авторством: I. R. Jatsunskij
Опубліковано: (2013)

Investigation of the process of microrelief structures formation in chromium films based on the method of chemical etching
за авторством: Панкратова, А. В., та інші
Опубліковано: (2021)

Investigation of the process of microrelief structures formation in chromium films based on the method of chemical etching
за авторством: A. V. Pankratova, та інші
Опубліковано: (2021)

About influence of energy of electrons and ions on speed of electron- and ion-stimulated plasmachemical etching of silicon
за авторством: Fedorovich, O.A., та інші
Опубліковано: (2010)

Photometric monitoring of etching rate of thin dielectric films
за авторством: S. E. Semenova, та інші
Опубліковано: (2006)

Precision control system for a continuous chemical reactor
за авторством: A. A. Stopakevich, та інші
Опубліковано: (2019)

Preferential etching by flowing oxygen on the (100) surfaces of HPHT single-crystal diamond
за авторством: L. M. Yang, та інші
Опубліковано: (2017)

Preferential etching by flowing oxygen on the (100) surfaces of HPHT single-crystal diamond
за авторством: Yang, L.M., та інші
Опубліковано: (2017)

Obtaining silicon carbide via chemical vapor, plasma-chemical and sublimation methods
за авторством: Zhuravlov, А.Yu., та інші
Опубліковано: (2017)

“String” type of barrierless plasma chemical reactor for generation ozone from air
за авторством: Kudin, D.V., та інші
Опубліковано: (2021)

Optimization of conditions for treatment of ZnSe crystal surfaces by chemical etching
за авторством: V. M. Tomashyk, та інші
Опубліковано: (2013)

Nanodimensional formations on the CdTe and ZnₓCd₁₋ₓTe surfaces at chemical etching
за авторством: Tomashyk, Z.F., та інші
Опубліковано: (2008)

Optimization of conditions for treatment of ZnSe crystal surfaces by chemical etching
за авторством: Tomashyk, V.M., та інші
Опубліковано: (2013)

Plasma-chemical methods for control of biotic contaminants
за авторством: Taran, G.V., та інші
Опубліковано: (2019)

The effect of the composition of the solution and microdispersed metallic phase in the volume of the reactor on the effect of the hydrodynamic limitation of the rate of chemical deposition of silver
за авторством: V. D. Kalugin, та інші
Опубліковано: (2012)

The structurally-chemical state and classification phases of the oxide and metal in system iron-silicon-titanium-oxygen. Report 2
за авторством: B. F. Belov, та інші
Опубліковано: (2015)

Application of dielectric barrier discharge and plasma-chemical reactor for water purification from NH₄OH
за авторством: Taran, V.S., та інші
Опубліковано: (2020)

Microfluctuations of oxygen impurity concentration as a reason of accelerated oxygen diffusion in silicon
за авторством: Neimash, V.B., та інші
Опубліковано: (2000)

Plasma etching of gallium nitride based heterostructures in production of optoelectronic devices
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2006)

Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon
за авторством: A. Misiuk, та інші
Опубліковано: (2010)

Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon
за авторством: Misiuk, A., та інші
Опубліковано: (2010)

Plasma-chemical method of grain fungal contamination control
за авторством: Taran, G.V., та інші
Опубліковано: (2020)

Anisotropy of sapphire properties associated with chemical-mechanical polishing with silica
за авторством: Budnikov, A.T., та інші
Опубліковано: (2010)

Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Analyzing silicon for the content of oxygen, nitrogen and hydrogen impurities
за авторством: R. V. Kozin, та інші
Опубліковано: (2024)

On the critical behaviour of random anisotropy magnets: cubic anisotropy
за авторством: Dudka, M., та інші
Опубліковано: (2001)

Ozone decay in chemical reactor with the developed inner surface
за авторством: Manuilenko, О.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Ab Initio Calculation of Magnetic Interaction Between Edge Dislocation and Oxygen Impurity in Silicon
за авторством: I. V. Pliushchai, та інші
Опубліковано: (2014)

ICRF plasmas for fusion reactor applications
за авторством: Lyssoivan, A., та інші
Опубліковано: (2007)