Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | G. V. Beketov, A. V. Sukach, V. V. Tetyorkin, S. P. Trotsenko |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2017
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000806886 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)
Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)
S1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p + -n junctions
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2018)
Trotsenko. InSb photodiodes (Review. Part III)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2017)
Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)
Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)
Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb
за авторством: S. V. Stariy, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. V. Stariy, та інші
Опубліковано: (2017)
Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: Sukach, A., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Sukach, A., та інші
Опубліковано: (2014)
Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: A. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)
InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
InSb Photodiodes (Review, Part II)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)
Berry phase in strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2018)
Polarization dependences of radiation emission by hot carriers in InSb
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)
Polarization dependences of radiation emission by hot carriers in InSb
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)
Calculation of absorption coefficients of InSb₁₋xBix solid solutions
за авторством: Vyklyuk, J.I., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Vyklyuk, J.I., та інші
Опубліковано: (2000)
Synthesis and properties of semiconductor solid solutions (inSb)₁₋x(CdTe)x
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (2006)
Be-ion implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication and characterization
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2018)
Highly-ordered nanoporous anodic aluminum oxide films
за авторством: Voloshko, A.V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Voloshko, A.V., та інші
Опубліковано: (2012)
Self-organized nanostructured anodic oxides for displays applications
за авторством: P. Jaguiro, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: P. Jaguiro, та інші
Опубліковано: (2010)
Elasticity module and hardness of niobium and tantalum anode oxide films
за авторством: Dub, S.N., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Dub, S.N., та інші
Опубліковано: (2007)
Metal-fluorite and perovskite anodes for solid oxide fuel cells
за авторством: O. V. Bezdorozhev, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. V. Bezdorozhev, та інші
Опубліковано: (2012)
Hydrogen evolution on the anode under plasma electrolytic oxidation of aluminium
за авторством: L. A. Snezhko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: L. A. Snezhko, та інші
Опубліковано: (2016)
The charge trapping/emission processes in silicon nanocrystalline nonvolatile memory assisted by electric field and elevated temperatures
за авторством: V. A. Ievtukh, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. A. Ievtukh, та інші
Опубліковано: (2016)
Field emission cathodes based on porous anodic aluminium oxide and carbon nanotubes
за авторством: D. V. Solovej, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: D. V. Solovej, та інші
Опубліковано: (2011)
Features of J-aggregates formation in pores of nanostructured anodic aluminum oxide
за авторством: Sorokin, A.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Sorokin, A.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Method of Obtaining of Metal Oxide Anodes That Do Not Contain Noble Metals
за авторством: V. H. Mykhailenko, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: V. H. Mykhailenko, та інші
Опубліковано: (2022)
The influence of electrolyte composition for hard anodizing of aluminium on oxide layer characteristics
за авторством: M. M. Student, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: M. M. Student, та інші
Опубліковано: (2021)
Tape Casting of anode and electrolyte layers for solid oxide fuel cells
за авторством: S. E. Ivanchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: S. E. Ivanchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Epitaxial InGaN nanostructures grown in pores of anodic aluminium oxide on Si
за авторством: G. G. Gorokh, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: G. G. Gorokh, та інші
Опубліковано: (2011)
Method of Obtaining of Metal Oxide Anodes That Do Not Contain Noble Metals
за авторством: Михайленко, В. Г., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Михайленко, В. Г., та інші
Опубліковано: (2023)
Method of Obtaining of Metal Oxide Anodes That Do Not Contain Noble Metals
за авторством: Михайленко, В. Г., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Михайленко, В. Г., та інші
Опубліковано: (2023)
Lattice thermal conductivity of thermoelectric materials based on Zn-Cd-Sb
за авторством: P. V. Gorskiy
Опубліковано: (2016)
за авторством: P. V. Gorskiy
Опубліковано: (2016)
The Adaptive Conduct of Households and the Risks of Institutional Traps in the Conditions of Transformation Processes
за авторством: M. V. Babii
Опубліковано: (2016)
за авторством: M. V. Babii
Опубліковано: (2016)
Zirconium dioxide stabilized with yttrium oxide and cerium oxide (8Ce2YSZ) for solid oxide fuel cell anode and electrolyzers application
за авторством: I. O. Polishko, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: I. O. Polishko, та інші
Опубліковано: (2022)
Improvement of electric conductivity of the anode fuel cell material with cyclic redox heat treatment
за авторством: B. D. Vasyliv
Опубліковано: (2010)
за авторством: B. D. Vasyliv
Опубліковано: (2010)
On the thermal conductivity of AgSbTe2 and Ag0.82Sb1.18Te2.18
за авторством: S. S. Ragimov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: S. S. Ragimov, та інші
Опубліковано: (2018)
Схожі ресурси
-
Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024) -
Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024) -
S1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p + -n junctions
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2018) -
Trotsenko. InSb photodiodes (Review. Part III)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2017) -
Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)