Photoconductivity relaxation and electron transport in macroporous silicon structures
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автори: | L. A. Karachevtseva, V. F. Onyshchenko, A. V. Sachenko |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2017
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000806887 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Relaxation of photoconductivity in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2018) -
Peculiarities of surface photoconductivity relaxation in the structures of macroporous silicon in the visible spectrum
за авторством: M. I. Karas, та інші
Опубліковано: (2020) -
Photoconductivity in macroporous silicon with regular structure of macropores
за авторством: Ivanov, V.I., та інші
Опубліковано: (2007) -
Photoconductivity in bilateral macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2022) -
Photoconductivity in bilateral macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2022)