Зображення обкладинки

Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2017
Автори:	S. Zainabidinov, O. O. Mamatkarimov, O. Khimmatkulov, I. G. Tursunov
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2017
Назва видання:	Ukrainian Journal of Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000812102
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)

Character of elastic energy absorption in well developed genetic-impurity defect structure in monocrystalline silicon
за авторством: Gutsulyak, B.I., та інші
Опубліковано: (2005)

Investigations of the deep-level parameters in semiconductors
за авторством: I. G. Tursunov
Опубліковано: (2017)

Investigations of the deep-level parameters in semiconductors
за авторством: I. G. Tursunov
Опубліковано: (2017)

Relaxation changes in the mobility and concentration of charge carriers in Si with deep impurity levels under the action of pulsed pressure
за авторством: O. O. Mamatkarimov, та інші
Опубліковано: (2012)

Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals
за авторством: Azarenkov, N.А., та інші
Опубліковано: (2016)

A mechanism of diamond-abrasive finishing of monocrystalline silicon carbide
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2013)

Genesis of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxidation with subsequent scribing
за авторством: V. A. Smyntyna, та інші
Опубліковано: (2010)

Creation of spatial quantum filaments in the volume of monocrystalline silicon by the coulomb explosion
за авторством: V. P. Efimov
Опубліковано: (2010)

Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2016)

Interface model of low temperature plasticity in high uniaxially strained monocrystalline semiconductors
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (2000)

The Influence of Plastic Deformation on the Defect-Impurity State and Magnetic Properties of Silicon (Cz-Si)
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2013)

Stimulation anomalous photoresistance under action external electric field in nanocrystalline structure CdTe-ZnSe with deep impurity levels
за авторством: K. Akbarov, та інші
Опубліковано: (2008)

Influence of a Strain Rate and Temperature on the Crack Tip Stress and Microstructure Evolution of Monocrystalline Nickel: a Molecular Dynamics Simulation
за авторством: W. P. Wua, та інші
Опубліковано: (2014)

Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon
за авторством: Evtukh, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)

Monopolar photoconductivity of the inversion layer and &quot;slow&quot;-surface levels in the structures of macroporous and monocrystalline silicon in condition of strong surface lighting
за авторством: N. I. Karas, та інші
Опубліковано: (2018)

Luminescent and radiation characteristics of monocrystalline diamond powders
за авторством: O. G. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2019)

Impurity induced broadening of Drude peak in strained graphene
за авторством: Shubnyi, V.O., та інші
Опубліковано: (2018)

Properties of the crystalline silicon strained via cavitation impact
за авторством: R. K. Savkina
Опубліковано: (2013)

Properties of the crystalline silicon strained via cavitation impact
за авторством: Savkina, R.K.
Опубліковано: (2013)

Analyzing silicon for the content of oxygen, nitrogen and hydrogen impurities
за авторством: R. V. Kozin, та інші
Опубліковано: (2024)

Relaxation of Magnetosensitive Impurities in Single-Crystalline Silicon
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2013)

Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)

Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)

Electrical properties of MIS structures with silicon nanoclusters
за авторством: S. V. Bunak, та інші
Опубліковано: (2011)

Domain structure regularization in monocrystalline barium hexaferrite
за авторством: A. L. Nikytenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and y-irradiation (⁶⁰Co) on electrophysical parameters of n-Ge <Sb>
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2014)

Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and -irradiation (60Co) on electrophysical parameters of n-Ge Sb
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2014)

Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012)

Electrical properties intergranular boundaries in the volume of polycrystalline silicon
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2013)

AFM Study of Surface of the Metallic Condensates on the Monocrystalline Silicon and Energy Parameters of Interface Interactions in the ‘Metallic Condensate—Semiconductor&#039; System
за авторством: B. P. Koman, та інші
Опубліковано: (2015)

Polished surface roughness of optoelectronic components made of monocrystalline materials
за авторством: Ju. Filatov, та інші
Опубліковано: (2016)

Research of the influence of silicon impregnation on the structure and properties of hot-pressed silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Mathematical model of inductor field effect on coefficient of impurity distribution in silicon
за авторством: S. G. Egorov, та інші
Опубліковано: (2009)

Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Estimation of random properties of electricity consumption levels
за авторством: O. V. Lysenko
Опубліковано: (2018)

Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Investigation of the influence of oxygen on the rate and anisotropy of deep etching of silicon in the plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field
за авторством: V. V. Gladkovskij, та інші
Опубліковано: (2017)

Research of the influence of siliconizing on the structure and properties of hot-pressed polycrystalline silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2018)