Laser-stimulated enhancement of the reflectance of single-crystalline n-GaAs(100)
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автори: | P. O. Gentsar, O. I. Vlasenko, S. M. Levytskyi |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2017
|
Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000812292 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Laser-stimulated enhancement of the reflectance of single-crystalline n-GaAs(100)
за авторством: P. O. Hentsar, та інші
Опубліковано: (2017) -
Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100)
за авторством: Gentsar, P. O., та інші
Опубліковано: (2018) -
Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100)
за авторством: Gentsar, P.O., та інші
Опубліковано: (2009) -
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2016) -
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2016)