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Method of measuring non-equilibrium carriers concentration and their lifetime in a semiconductor using the approach of a photonic crystal with a defect mode

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2017
Hauptverfasser:	B. V. Chernyshov, R. V. Holovashchenko, V. M. Derkach, S. I. Tarapov
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2017
Schriftenreihe:	Radiophysics and Electronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000813610
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