Method of measuring non-equilibrium carriers concentration and their lifetime in a semiconductor using the approach of a photonic crystal with a defect mode
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | B. V. Chernyshov, R. V. Holovashchenko, V. M. Derkach, S. I. Tarapov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2017
|
| Назва видання: | Radiophysics and Electronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000813610 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon
за авторством: Zaitsev, R.V., та інші
Опубліковано: (2011) -
Single-photon superradiance in a single-crystal semiconductor film in the saturation mode
за авторством: A. G. Moiseev, та інші
Опубліковано: (2018) -
Radiation Intensity Increasing in a Defect Mode Based Three-Dimensional Photonic Structure
за авторством: N. V. Sidorchuk, та інші
Опубліковано: (2015) -
RADIATION INTENSITY INCREASING IN A DEFECT MODE BASED THREE-DIMENSIONAL PHOTONIC STRUCTURE
за авторством: Sydorchuk, N. V., та інші
Опубліковано: (2015) -
Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment
за авторством: Надточий, В.А., та інші
Опубліковано: (2004)