Зображення обкладинки

Investigations of the deep-level parameters in semiconductors

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2017
Автор:	I. G. Tursunov
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2017
Назва видання:	Ukrainian journal of physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000816992
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Investigations of the deep-level parameters in semiconductors
за авторством: I. G. Tursunov
Опубліковано: (2017)

Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)

Research of geothermal energy parameters in deep well
за авторством: V. Karpenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Determining of optimal parameters for the trays on the conveyor belt with deep fluting
за авторством: R. V. Kirija, та інші
Опубліковано: (2014)

On accuracy of the parameter of deep subcriticality determination by the Feynman method
за авторством: V. N. Pavlovich, та інші
Опубліковано: (2014)

Spectral parameters of electron in multi-shell open semiconductor nanotube
за авторством: O. M. Makhanets, та інші
Опубліковано: (2015)

Nanosized levels of the self-organized structures in the non-crystalline semiconductors As-S(Se) system
за авторством: M. I. Maryan, та інші
Опубліковано: (2019)

Analysis of conversion processes of electroenergy parameters for power semiconductor systems
за авторством: K. O. Lypkivskyi, та інші
Опубліковано: (2013)

The deep structure of yevlakh-agjabedi depression of azerbaijan on the gravity-magnetometer investigations
за авторством: V. H. Hadirov, та інші
Опубліковано: (2016)

Investigation of the semiconductor energy converters and electromechanical systems based on the magneto-electric motor
за авторством: Ye. Antonov, та інші
Опубліковано: (2013)

Substantiation of technological schemes with equipment of new technical level for completion of deep quarries
за авторством: A. A. Ikol
Опубліковано: (2017)

Temperature dependence of surface state parameters of metal-insulator-semiconductor structures
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Automated hardware-softw are system for measurement of thermoelectric parameters of semiconductor materials
за авторством: B. S. Dzundza
Опубліковано: (2018)

Automated hardware-softw are system for measurement of thermoelectric parameters of semiconductor materials
за авторством: B. S. Dzundza
Опубліковано: (2018)

Investigation of photoelectric and photographic characteristics of a semiconductor photographic system of ionization type
за авторством: Kh. T. Juldashev, та інші
Опубліковано: (2015)

Deep-level defects in CdSe/ZnSe QDs and giant anti-Stokes photoluminescence
за авторством: Valakh, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2002)

Special qualities of photo voltage effect in multy leveled semiconductors with p-n-p-structure with nonsimilar lightning
за авторством: G. A. Nabiev
Опубліковано: (2008)

Effective parameters of dielectric absorption of polymeric insulation with semiconductor coatings of power high voltage cables
за авторством: Bezprozvannych, G. V., та інші
Опубліковано: (2022)

Electrophysical processes in composite semiconductor screens and their influence on the dielectric parameters of high voltage power cables
за авторством: G. V. Bezprozvannych, та інші
Опубліковано: (2024)

Parameter optimization of thermoelectric material based on n-ZrNiSn intermetallic semiconductor
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2013)

Phytoplankton of deep-water lakes of Southern Ural during a high level of water (Russia)
за авторством: L. V. Snitko, та інші
Опубліковано: (2012)

Deep attachment levels in In0.4Ga0.6As/GaAs heterostructures with quantum dots
за авторством: O. V. Vakulenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Theoretical Validization at Different Levels of Sociological Investigation
за авторством: S. Dembitskij
Опубліковано: (2010)

Theoretical Validization at Different Levels of Sociological Investigation
за авторством: S. Dembitskyi
Опубліковано: (2010)

Method of dynamic parameters for mathematical modelling of switching processes of valves closing of semiconductor converters
за авторством: Vasyliv, K. M.
Опубліковано: (2022)

Investigation of the characteristics of an image converter in a hyperfine gas-discharge cell with a semiconductor electrode
за авторством: Kh. T. Juldashev, та інші
Опубліковано: (2015)

Investigation of a hyperfine gas-discharge cell with a platinum alloy silicon semiconductor electrode
за авторством: Z. Khajdarov
Опубліковано: (2011)

Relaxation changes in the mobility and concentration of charge carriers in Si with deep impurity levels under the action of pulsed pressure
за авторством: O. O. Mamatkarimov, та інші
Опубліковано: (2012)

Control of parameters of bipolar pulse currents in the load of semiconductor electric discharge installations with reservoir capacitor
за авторством: N. I. Suprunovska, та інші
Опубліковано: (2017)

Kinetic parameters of E. coli growth after deep freezing at diethyl sulfoxide presence
за авторством: Sh. A. Markarjan, та інші
Опубліковано: (2003)

QED corrections to polarized deep-inelastic and semi-inclusive deep-inelastic scattering
за авторством: Gakh, G.I., та інші
Опубліковано: (2001)

Spectral parameters of electron in a multishell semiconductor cylindrical nanotube with a donor impurity at its axis
за авторством: O. M. Makhanets, та інші
Опубліковано: (2014)

Spectral parameters of electron in a multishell semiconductor cylindrical nanotube with a donor impurity at its axis
за авторством: O. M. Makhanets, та інші
Опубліковано: (2014)

INVESTIGATION OF FERMENTATION CHAMBER THERMAL CONDITION PARAMETERS
за авторством: Tereshchuk, M., та інші
Опубліковано: (2022)

Cyclotron radiation of semiconductor crystals
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2018)

Charge Transport in MoRe—Si(W)—MoRe Heterostructures under Various Levels of Semiconductor Layer Alloying
за авторством: A. P. Shapovalov
Опубліковано: (2013)

Conversion semiconductor LED
за авторством: O. A. Kapush
Опубліковано: (2020)

Simulation and investigation of parameters for light beam concentrators
за авторством: Petrov, V. V., та інші
Опубліковано: (2020)

Investigation of metrological parameters of measuring system for small temperature changes
за авторством: M. G. Samynina, та інші
Опубліковано: (2014)