Investigations of the deep-level parameters in semiconductors

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2017
Автор:	I. G. Tursunov
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2017
Назва видання:	Ukrainian Journal of Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000818564
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

id	open-sciencenbuvgovua-40225
record_format	dspace
spelling	open-sciencenbuvgovua-402252024-02-29T11:49:28Z Investigations of the deep-level parameters in semiconductors I. G. Tursunov 0372-400X 2017 en Ukrainian Journal of Physics http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000818564 Article
institution	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS
collection	Open-Science
language	English
series	Ukrainian Journal of Physics
spellingShingle	Ukrainian Journal of Physics I. G. Tursunov Investigations of the deep-level parameters in semiconductors
format	Article
author	I. G. Tursunov
author_facet	I. G. Tursunov
author_sort	I. G. Tursunov
title	Investigations of the deep-level parameters in semiconductors
title_short	Investigations of the deep-level parameters in semiconductors
title_full	Investigations of the deep-level parameters in semiconductors
title_fullStr	Investigations of the deep-level parameters in semiconductors
title_full_unstemmed	Investigations of the deep-level parameters in semiconductors
title_sort	investigations of the deep-level parameters in semiconductors
publishDate	2017
url	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000818564
work_keys_str_mv	AT igtursunov investigationsofthedeeplevelparametersinsemiconductors
first_indexed	2024-03-30T09:20:22Z
last_indexed	2024-03-30T09:20:22Z
_version_	1796881469305520128