Зображення обкладинки

Thermodynamic properties of the AgGaGe3Se8 compound at T≤500 K determined by the emf method

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2022
Автори:	M. Moroz, P. Demchenko, M. Prokhorenko, B. Rudyk, L. Soliak, O. Mysina, O. Pereviznyk, O. Reshetniak
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2022
Назва видання:	Proceedings of the Shevchenko Scientific Society : Shemical Sciences
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001405576
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

THERMODYNAMICALLY STABLE PHASES OF THE Ag9GaSe6 – Ag8GeSe6 SYSTEM AT T
за авторством: Moroz, Mykola, та інші
Опубліковано: (2022)

Electrical and optical properties of AgGaGe2S2Se4 single crystals
за авторством: H. L. Myronchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Electrical and optical properties of AgGaGe2S2Se4 single crystals
за авторством: G. L. Myronchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of Cu-, Sn-, and In-doping on optical properties of AgGaGe3 Se8 single crystals
за авторством: A. S. Krymus, та інші
Опубліковано: (2016)

Influence of Cu-, Sn-, and In-doping on optical properties of AgGaGe3 Se8 single crystals
за авторством: A. S. Krymus, та інші
Опубліковано: (2016)

Glass formation region and X-ray analysis of the glassy alloys in AgGaSe₂+GeS₂<=>AgGaS₂+GeSe₂ system
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)

ТЕРМОДИНАМІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ СРІБЛОВМІСНИХ СПОЛУК СИСТЕМИ Ag–Fe–Sn–S, ОТРИМАНИХ НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНИМ ТВЕРДОФАЗНИМ СИНТЕЗОМ
за авторством: Moroz , Mykola, та інші
Опубліковано: (2020)

Anisotropy of electron phonon drag thermoEMF in n-Ge
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Crystal structure of AgGa2Se3Cl(Br) compounds
за авторством: I. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2022)

Electronic structure of Ag₈GeS₆
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2017)

Electronic structure of Ag8GeS6
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of the magnetic field on thermodynamic and kinetic parameters of formation and physical properties of intercalates MnxGaSe
за авторством: N. T. Pokladok
Опубліковано: (2010)

Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)
за авторством: Хейфец, О.Л., та інші
Опубліковано: (2007)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)

Lateral photo-emf in Schottky contact
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2010)

Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4
за авторством: Божко, В.В., та інші
Опубліковано: (2010)

Коррозионные свойства сплавов системы Ag-Cu-Ge
за авторством: Верховлюк, А.М., та інші
Опубліковано: (2011)

Photoelectric properties of single crystals Ag₃In₅Se₉
за авторством: Huseynov, A.H., та інші
Опубліковано: (2006)

About mechanism of high-voltage photo emf formation in thin slanting deposited films CdTe:Ag by own and admixture absorption
за авторством: Ju. Ju. Vajtkus, та інші
Опубліковано: (2005)

The accuracy of thermoEMF measurement by the probe method
за авторством: L. I. Anatychuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Luminescence properties of Ca₃Ga₂Ge₄O₁₄ crystals
за авторством: Kostyk, L., та інші
Опубліковано: (2008)

Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
за авторством: Pokladok, N. T., та інші
Опубліковано: (2013)

Phase composition and thermoresistive properties of Ge/Fe and Ag/Fe film systems
за авторством: O. V. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Система Tl₂GeSe₃—Tl₄GeₓSn₁₋ₓSe₄ —Tl₂SnSe₃
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2006)

Lateral photo-emf in a nonuniform Schottky contact
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2011)

Влияние высоких давлений на электрические свойства сегнетоэлектриков AgPbSbSe₃, CuSnAsSe₃, CuSnSbSe₃, AgSnSbSe₃ и CuSnSbS₃
за авторством: Хейфец, О.Л., та інші
Опубліковано: (2009)

Peculiarities of valence band formation in As-Ge-Se semiconductor glasses
за авторством: Vakiv, M., та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of valence band formation in As-Ge-Se semiconductor glasses
за авторством: M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2012)

Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2003)

Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films
за авторством: Tolmachov, I.D., та інші
Опубліковано: (2010)

Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films
за авторством: I. D. Tolmachov, та інші
Опубліковано: (2010)

Relaxation and thermoinduced processes in glassy HgSe(x)-GeSe₂(₁-x) alloys
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2003)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)

Fine structure of NQR spectra in GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2009)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2010)

Електрохемічні властивості шаруватої сполуки GaSe
за авторством: Балицький, О.О., та інші
Опубліковано: (2009)

Electrical Resistivity of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ Solid Solutions with Structure of AlB₂ Type
за авторством: Semen’ko, M.P., та інші
Опубліковано: (2017)

ThermoEMF in Bi nanowires in the transverse constant electric field
за авторством: E. P. Sinyavsky, та інші
Опубліковано: (2012)

Urbach’s edge of glassy HgSe-GeSe₂ alloys: static disorder and temperature dependence of optical absorption
за авторством: Bozhko, V.V., та інші
Опубліковано: (2002)