Calculation of the temperature distribution at the HPHT growing of diamond single crystals in cells with two growth layers

Calculation of the temperature distribution at the HPHT growing of diamond single crystals in cells with two growth layers

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2017
Автори:	A. V. Burchenia, V. V. Lysakovskyi, S. O. Hordieiev, S. O. Ivakhnenko, O. M. Kutsai, O. M. Suprun
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2017
Назва видання:	Superhard Materials
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000850132
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Specific electrical conductivity of graphite composite heaters for HPHT diamond growing
за авторством: O. V. Savitskyi, та інші
Опубліковано: (2017)

Diamond HPHT-crystallization on seed using carbon solvents formed by powder metallurgy methods
за авторством: T. V. Kovalenko, та інші
Опубліковано: (2022)

Anisotropic charge transport in HPHT diamonds
за авторством: V. I. Grushko, та інші
Опубліковано: (2024)

Using digital microphotogrammetry for HPHT-diamond single crystals morphology analysis
за авторством: P. M. Lytvyn, та інші
Опубліковано: (2021)

Effect of temperature and alloy-solvent content on diamond crystallization in Mg-based systems for HPHT method
за авторством: T. V. Kovalenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Formation of growth conditions for the receipt of structurally perfect diamonds under high pressure with temperature gradient method using
за авторством: A. V. Burchenia, та інші
Опубліковано: (2018)

Formation of the electrophysical properties of the polycrystals during hpht sintering of conductive diamond powders
за авторством: O. O. Bochechka, та інші
Опубліковано: (2016)

Semiconductor HPHT-diamonds as active elements of electronic devices: their structural and electronic properties
за авторством: T. V. Kovalenko, та інші
Опубліковано: (2021)

Preferential etching by flowing oxygen on the (100) surfaces of HPHT single-crystal diamond
за авторством: Yang, L.M., та інші
Опубліковано: (2017)

Preferential etching by flowing oxygen on the (100) surfaces of HPHT single-crystal diamond
за авторством: L. M. Yang, та інші
Опубліковано: (2017)

Structure and hardness of octahedral natural diamond single crystals depending on the HPHT treatment conditions
за авторством: A. N. Sokolov, та інші
Опубліковано: (2012)

Growth of structurally perfect diamond single crystals at high pressures and temperatures. Review
за авторством: V. V. Lysakovskij, та інші
Опубліковано: (2018)

Modeling of temperature fields in the growth volume of the high-pressure cell of the cix-punches high pressure apparatus in growing of diamond crystals by T-gradient method
за авторством: T. S. Panasiuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Heat capacity of bulk boron doped single crystal HPHT diamonds in the temperature range from 2 to 400 K
за авторством: Tarelkin, S., та інші
Опубліковано: (2016)

Heat capacity of bulk boron doped single crystal HPHT diamonds in the temperature range from 2 to 400 K
за авторством: S. Tarelkin, та інші
Опубліковано: (2016)

Wear resistance of diamond-dolomite and diamond-strontium carbonate composites produced under HPHT-conditions
за авторством: N. A. Bondarenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Change of dislocations density in single crystals of various types diamonds depending on the growth temperature and rate
за авторством: Suprun, O.M., та інші
Опубліковано: (2016)

The initial phase composition of Fe–Al-based alloys to grow diamond single crystals of type IIA
за авторством: M. A. Serga, та інші
Опубліковано: (2016)

Defect-and-impurity state of type Ib diamond single crystals of the cubic habit
за авторством: E. M. Suprun, та інші
Опубліковано: (2016)

Methods to clean the surfaces of diamond crystals
за авторством: O. M. Suprun, та інші
Опубліковано: (2015)

Innovative Appeal of the Structurally Perfect Diamond Monocrystal Production to their Purposeful Use in the Newest Technologies of the XXI Century
за авторством: M. V. Novikov, та інші
Опубліковано: (2015)

Shear-induced metallization on (001) and (111) surfaces of diamond during hardness tests
за авторством: S. M. Dub, та інші
Опубліковано: (2021)

Innovative technology and equipment for growing super-large single-crystals of metals
за авторством: V. O. Shapovalov, та інші
Опубліковано: (2020)

Features of the structural organization of a single-layer diamond-galvanic coating for the ruling tool
за авторством: V. I. Lavrinenko, та інші
Опубліковано: (2021)

Methodology of HTHP diamond single crystal brittle fracture investigations by crack propagation analysis under shock load
за авторством: L. M. Devin, та інші
Опубліковано: (2024)

Structural transformations in boron carbooxynitride (BNCO) during HPHT synthesis and sintering
за авторством: H. S. Olieinyk, та інші
Опубліковано: (2022)

Growing of GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czochralski technique
за авторством: Kozhemyakin, G.N., та інші
Опубліковано: (2005)

Investigation of the structure formation during sintering pcd in hpht condition
за авторством: V. Z. Turkevych, та інші
Опубліковано: (2019)

Intensification of the process of plasma-induction growing of large profiled tungsten single crystals
за авторством: Shapovalov, V.O., та інші
Опубліковано: (2022)

Defect-and-impurity state of diamond single crystals grown in the Fe–Mg–Al–C system
за авторством: T. V. Kovalenko, та інші
Опубліковано: (2017)

3D technology of growing single-crystal ingots in the form of hollow tungsten cylinders
за авторством: Yu. O. Nykytenko, та інші
Опубліковано: (2023)

To the justification for use of multi-sector schemes of single- layered diamond crowns with shorted sectors
за авторством: A. A. Karakozov, та інші
Опубліковано: (2018)

Modelling of the Single-Layer and Two-Layer Routing Problems
за авторством: I. V. Kozin, та інші
Опубліковано: (2016)

Morphology and growth mechanisms of diamond crystals
за авторством: V. M. Kvasnytsia
Опубліковано: (2021)

Mathematical model of plasma-induction process for growing single crystals of refractory metals
за авторством: A. N. Gnizdylo, та інші
Опубліковано: (2018)

Justification of constructions of single-layer diamond crowns with obsongnum number of radial series in the reduced sector
за авторством: A. A. Karakozov, та інші
Опубліковано: (2019)

Technological features of plasma-induction growing of large single crystals of tungsten
за авторством: V. A. Shapovalov, та інші
Опубліковано: (2012)

Study of electrical resistance single crystals of synthetic diamond
за авторством: K. Khajdarov, та інші
Опубліковано: (2016)

Using the differential method for determining quasi-hydrostatic pressures in the cells of six-punch presses
за авторством: A. V. Burchenia, та інші
Опубліковано: (2021)

Study on gaseous impurities in alpha-alumina, used single crystals growing
за авторством: Blank, T.A., та інші
Опубліковано: (2005)