Зображення обкладинки

Calculation of the temperature distribution at the HPHT growing of diamond single crystals in cells with two growth layers

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2017
Автори:	A. V. Burchenia, V. V. Lysakovskyi, S. O. Hordieiev, S. O. Ivakhnenko, O. M. Kutsai, O. M. Suprun
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2017
Назва видання:	Superhard Materials
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000850132
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Diamond HPHT-crystallization on seed using carbon solvents formed by powder metallurgy methods
за авторством: T. V. Kovalenko, та інші
Опубліковано: (2022)

Specific electrical conductivity of graphite composite heaters for HPHT diamond growing
за авторством: O. V. Savitskyi, та інші
Опубліковано: (2017)

Using digital microphotogrammetry for HPHT-diamond single crystals morphology analysis
за авторством: P. M. Lytvyn, та інші
Опубліковано: (2021)

Effect of temperature and alloy-solvent content on diamond crystallization in Mg-based systems for HPHT method
за авторством: T. V. Kovalenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Anisotropic charge transport in HPHT diamonds
за авторством: V. I. Grushko, та інші
Опубліковано: (2024)

Preferential etching by flowing oxygen on the (100) surfaces of HPHT single-crystal diamond
за авторством: L. M. Yang, та інші
Опубліковано: (2017)

Structure and hardness of octahedral natural diamond single crystals depending on the HPHT treatment conditions
за авторством: A. N. Sokolov, та інші
Опубліковано: (2012)

Formation of growth conditions for the receipt of structurally perfect diamonds under high pressure with temperature gradient method using
за авторством: A. V. Burchenia, та інші
Опубліковано: (2018)

Growth of structurally perfect diamond single crystals at high pressures and temperatures. Review
за авторством: V. V. Lysakovskij, та інші
Опубліковано: (2018)

Formation of the electrophysical properties of the polycrystals during hpht sintering of conductive diamond powders
за авторством: O. O. Bochechka, та інші
Опубліковано: (2016)

Modeling of temperature fields in the growth volume of the high-pressure cell of the cix-punches high pressure apparatus in growing of diamond crystals by T-gradient method
за авторством: T. S. Panasiuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Heat capacity of bulk boron doped single crystal HPHT diamonds in the temperature range from 2 to 400 K
за авторством: S. Tarelkin, та інші
Опубліковано: (2016)

Heat capacity of bulk boron doped single crystal HPHT diamonds in the temperature range from 2 to 400 K
за авторством: Tarelkin, S., та інші
Опубліковано: (2016)

Semiconductor HPHT-diamonds as active elements of electronic devices: their structural and electronic properties
за авторством: T. V. Kovalenko, та інші
Опубліковано: (2021)

Change of dislocations density in single crystals of various types diamonds depending on the growth temperature and rate
за авторством: Suprun, O.M., та інші
Опубліковано: (2016)

The initial phase composition of Fe–Al-based alloys to grow diamond single crystals of type IIA
за авторством: M. A. Serga, та інші
Опубліковано: (2016)

Methods to clean the surfaces of diamond crystals
за авторством: O. M. Suprun, та інші
Опубліковано: (2015)

Defect-and-impurity state of type Ib diamond single crystals of the cubic habit
за авторством: E. M. Suprun, та інші
Опубліковано: (2016)

Innovative technology and equipment for growing super-large single-crystals of metals
за авторством: V. O. Shapovalov, та інші
Опубліковано: (2020)

Morphology and growth mechanisms of diamond crystals
за авторством: V. M. Kvasnytsia
Опубліковано: (2021)

Wear resistance of diamond-dolomite and diamond-strontium carbonate composites produced under HPHT-conditions
за авторством: N. A. Bondarenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Changes in crystallization conditions when growing large single crystals at melt feeding
за авторством: Goriletsky, V.I., та інші
Опубліковано: (2004)

Intensification of the process of plasma-induction growing of large profiled tungsten single crystals
за авторством: Shapovalov, V.O., та інші
Опубліковано: (2022)

3D technology of growing single-crystal ingots in the form of hollow tungsten cylinders
за авторством: Yu. O. Nykytenko, та інші
Опубліковано: (2023)

Methodology of HTHP diamond single crystal brittle fracture investigations by crack propagation analysis under shock load
за авторством: L. M. Devin, та інші
Опубліковано: (2024)

Defect-and-impurity state of diamond single crystals grown in the Fe–Mg–Al–C system
за авторством: T. V. Kovalenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Study of electrical resistance single crystals of synthetic diamond
за авторством: K. Khajdarov, та інші
Опубліковано: (2016)

Mathematical model of plasma-induction process for growing single crystals of refractory metals
за авторством: A. N. Gnizdylo, та інші
Опубліковано: (2018)

Technological features of plasma-induction growing of large single crystals of tungsten
за авторством: V. A. Shapovalov, та інші
Опубліковано: (2012)

Study on gaseous impurities in alpha-alumina, used single crystals growing
за авторством: Blank, T.A., та інші
Опубліковано: (2005)

Morphology of diamond crystals grown in the Fe–Co–Mg system
за авторством: T. V. Kovalenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Investigation of energy balance in the system of the crystal‒high-frequency heating module at plasma-induction growing of refractory metal single-crystals
за авторством: V. O. Shapovalov, та інші
Опубліковано: (2022)

Specifics of crystallization refining in the process of growing flat single crystals of refractory metals in plasma-induction melting
за авторством: V. A. Shapovalov, та інші
Опубліковано: (2012)

Application of additive welding technologies for growing of large profiled tungsten and molybdenum single crystals
за авторством: V. A. Shapovalov, та інші
Опубліковано: (2016)

Prospects and updating of plasma-induction technology of growing of refractory metal single crystals
за авторством: A. N. Gnizdylo
Опубліковано: (2015)

Refining of silicon single crystals in their growing by the method of electron beam crucibleless zonal melting
за авторством: E. A. Asnis, та інші
Опубліковано: (2011)

Innovative Appeal of the Structurally Perfect Diamond Monocrystal Production to their Purposeful Use in the Newest Technologies of the XXI Century
за авторством: M. V. Novikov, та інші
Опубліковано: (2015)

Boron-doped diamond single crystals for probes of the high-vacuum tunneling microscopy
за авторством: A. P. Chepugov, та інші
Опубліковано: (2013)

Growing the high-resistive Cd₁₋xZnxTe single crystals from a vapor phase
за авторством: Feychuk, P., та інші
Опубліковано: (2005)

Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)