Modeling of temperature fields in the growth volume of the high-pressure cell of the cix-punches high pressure apparatus in growing of diamond crystals by T-gradient method
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | T. S. Panasiuk, O. O. Lieshchuk, V. V. Lysakovskyi, V. A. Kalenchuk, O. O. Zanevskyi |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2017
|
| Назва видання: | Superhard Materials |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000850198 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Numerical simulation of the stress-strain and limit states of the pyrophyllite container and punches of a six-punch high pressure apparatus
за авторством: O. V. Bovsunivskyi, та інші
Опубліковано: (2020) -
The influence of geometrical parameters of punches of cubic high-pressure apparatus on their stress-strain and limiting state at high pressure creation
за авторством: S. B. Polotniak, та інші
Опубліковано: (2017) -
Formation of growth conditions for the receipt of structurally perfect diamonds under high pressure with temperature gradient method using
за авторством: A. V. Burchenia, та інші
Опубліковано: (2018) -
Particle Detector with Diamond Sensitive Elements Grown in a Cubic High Pressure Apparatus
за авторством: Yu. Chaplynskiy, та інші
Опубліковано: (2021) -
Resistance of graphite materials under high pressure and high temterature
за авторством: O. V. Savitskyi, та інші
Опубліковано: (2019)