Haidar, H. P., Pinkovska, M. B., & Starchyk, M. I. (2021). The ordering effects of an n-Si defect structure, induced by high fluences of ions with MeV energies.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Haidar, H. P., M. B. Pinkovska, та M. I. Starchyk. The Ordering Effects of an N-Si Defect Structure, Induced by High Fluences of Ions with MeV Energies. 2021.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Haidar, H. P., et al. The Ordering Effects of an N-Si Defect Structure, Induced by High Fluences of Ions with MeV Energies. 2021.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.