The ordering effects of an n-Si defect structure, induced by high fluences of ions with MeV energies
Збережено в:
| Дата: | 2021 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2021
|
| Назва видання: | Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001212764 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |