Medium wavelength infrared HgCdTe discrete photodetectors
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | Z. F. Tsibrij, E. V. Andreeva, M. V. Apatskaja, S. G. Bunchuk, N. V. Vujchik, A. G. Golenkov, N. V. Dmitruk, V. V. Zabudskij, I. A. Lysjuk, E. V. Svezhentsova, M. I. Smolij, F. F. Sizov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2017
|
| Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000992052 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Noise in HgCdTe LWIR arrays
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2002)
Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)
Uncooled wide-range spectral optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015)
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015)
Uncooled wide-range spectral optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015)
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015)
In–HgCdTe–In structures with symmetric nonlinear I–V characteristics for sub-THz direct detection
за авторством: N. I. Kukhtaruk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: N. I. Kukhtaruk, та інші
Опубліковано: (2017)
In–HgCdTe–In structures with symmetric nonlinear I–V characteristics for sub-THz direct detection
за авторством: Kukhtaruk, N.I., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Kukhtaruk, N.I., та інші
Опубліковано: (2017)
Infrared blocking materials
за авторством: Z. F. Tsybrii, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Z. F. Tsybrii, та інші
Опубліковано: (2020)
Infrared blocking materials
за авторством: Tsybrii, Z.F., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Tsybrii, Z.F., та інші
Опубліковано: (2020)
Spintronics phenomena induced by THz radiation in narrow-gap HgCdTe thin films in an external constant electric field
за авторством: Tsybrii, Z.F., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Tsybrii, Z.F., та інші
Опубліковано: (2021)
Неохолоджуванi оптоелектроннi прилади на основi напiвпровiдника HgCdTe у широкому спектральному дiапазонi
за авторством: Sizov, F.
Опубліковано: (2019)
за авторством: Sizov, F.
Опубліковано: (2019)
Infrared and terahertz in biomedicine
за авторством: F. F. Sizov
Опубліковано: (2017)
за авторством: F. F. Sizov
Опубліковано: (2017)
Infrared and terahertz in biomedicine
за авторством: Sizov, F.F.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Sizov, F.F.
Опубліковано: (2017)
HgCdTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy
за авторством: Dvoretsky, S.A, та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Dvoretsky, S.A, та інші
Опубліковано: (2007)
Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
за авторством: Bodnaruk, O. A., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Bodnaruk, O. A., та інші
Опубліковано: (2004)
Infrared detectors: outlook and means
за авторством: Sizov, F.F.
Опубліковано: (2000)
за авторством: Sizov, F.F.
Опубліковано: (2000)
Effect of annealing on activation of native acceptors in narrow-gap p-HgCdTe crystals
за авторством: Bogoboyashchiy, V.V.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Bogoboyashchiy, V.V.
Опубліковано: (1999)
Intrinsic concentration dependences in the HgCdTe quantum well in the range of the insulator-semimetal topological transition
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
Intrinsic concentration dependences in the HgCdTe quantum well in the range of the insulator-semimetal topological transition
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
за авторством: Войцеховский, А.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Войцеховский, А.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe
за авторством: Цибрий, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Цибрий, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2017)
Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
за авторством: Боднарук, О.А., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Боднарук, О.А., та інші
Опубліковано: (2004)
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4
за авторством: Voitsekhovskii, A. V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Voitsekhovskii, A. V., та інші
Опубліковано: (2005)
Carrier decay lifetimes in the narrow-gap Hg1 – xCdxTe at the interband and intraband excitations
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)
Carrier decay lifetimes in the narrow-gap Hg1 – xCdxTe at the interband and intraband excitations
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)
Problems in measurement of integrated sensitivity of photodetectors
за авторством: I. V. Doktorovich, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: I. V. Doktorovich, та інші
Опубліковано: (2015)
Часи життя носіїв заряду у вузькощілинному Hg1–xCdxTe при міжзонному та внутрішньозонному збудженні
за авторством: Staryi, S., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Staryi, S., та інші
Опубліковано: (2023)
Residual stresses and piezoelectric properties of the HgCdTe - based compound heterostructures under anisotropic deformation restriction
за авторством: A. B. Smirnov
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. B. Smirnov
Опубліковано: (2012)
Residual stresses and piezoelectric properties of the HgCdTe – based compound heterostructures under the anisotropic deformation restriction
за авторством: Smirnov, A. B.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Smirnov, A. B.
Опубліковано: (2012)
Uncooled р(Pb₁₋xSnxSe)-n(CdSe) heterostructure-based photodetector for the far infrared spectral range
за авторством: Lepikh, Ya.I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Lepikh, Ya.I., та інші
Опубліковано: (2014)
The limits of thermoelectric cooling for photodetectors
за авторством: L. I. Anatychuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: L. I. Anatychuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Photodetector device for fiber optical telecommunication systems
за авторством: N. O. Andreyeva, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: N. O. Andreyeva, та інші
Опубліковано: (2019)
Dislocations as internal sources of infrared radiation in crystals subjected to ultrasonic influence
за авторством: Savkina, R.K., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Savkina, R.K., та інші
Опубліковано: (2007)
Photodetector device for fiber-optical telecommunication systems
за авторством: Andreyeva, N.O., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Andreyeva, N.O., та інші
Опубліковано: (2019)
Моделювання механізмів транспорту носіїв заряду в HgCdTe та InSb фотодіодах на ділянку спектра 3–5 мкм
за авторством: Tetyorkin, V., та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Tetyorkin, V., та інші
Опубліковано: (2025)
Short-wave photodetectors based on fine grain-sized poly-Si films
за авторством: Agaev, F.G.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Agaev, F.G.
Опубліковано: (2001)
Composition and concentration dependences of electron mobility in semi-metal Hg₁₋xCdxTe quantum wells
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2015)
Formation of Photodetector Optimal Signal in Optical Control Systems
за авторством: Ye. Ye. Antonov, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Ye. Ye. Antonov, та інші
Опубліковано: (2022)
Composition and concentration dependences of electron mobility in semi-metal Hg1-xCdxTe quantum wells
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2015)
Noise spectra and dark current investigations in n⁺-p-type Hg₁₋xCdxTe (x ≈ 0.22) photodiodes
за авторством: Ivasiv, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Ivasiv, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
Dynamical screening function and plasmons in the wide HgTe quantum wells at high temperatures
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2018)
Схожі ресурси
-
Noise in HgCdTe LWIR arrays
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2002) -
Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017) -
Uncooled wide-range spectral optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015) -
Uncooled wide-range spectral optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015) -
In–HgCdTe–In structures with symmetric nonlinear I–V characteristics for sub-THz direct detection
за авторством: N. I. Kukhtaruk, та інші
Опубліковано: (2017)