Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures
Gespeichert in:
| Datum: | 2021 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | A. P. Savelyev, Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2021
|
| Schriftenreihe: | Low Temperature Physics |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001221068 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
von: A. P. Savelev, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: A. P. Savelev, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Temperature dependence of quantum lifetime in n-InGaAs/GaAs structures with double stronglycoupled quantum wells
von: Ju. G. Arapov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Ju. G. Arapov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
The effect of infrared illumination on quantum magnetotransport in strongly coupled n-InGaAs/GaAs double quantum wells
von: S. V. Gudina, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: S. V. Gudina, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Quantum magnetotransport in n-InGaAs/GaAs structures under change of electron density by infrared illumination
von: Ju. G. Arapov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Ju. G. Arapov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime
von: Ju. G. Arapov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Ju. G. Arapov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Plateau–plateau transitions in the quantum Hall regime for a single quantum well heterostructure n-InGaAs/GaAs before and after IR illumination
von: Ju. G. Arapov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Ju. G. Arapov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
von: S. A. Iliash, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: S. A. Iliash, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
von: Iliash, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Iliash, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Magnetooptics of heterostructures with InGaAs/GaAs quantum well and a ferromagnetic Mn deltalayer
von: S. V. Zajtsev
Veröffentlicht: (2012)
von: S. V. Zajtsev
Veröffentlicht: (2012)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: M. M. Vinoslavskii, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: M. M. Vinoslavskii, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)
The effect of the barrier width between coupled double quantum wells of GaAs/InGaAs/GaAs on the bipolar transport and THz emission of the hot carriers in the lateral electric field
von: M. N. Vinoslavskij, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: M. N. Vinoslavskij, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects
von: Masselink, W.T., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Masselink, W.T., et al.
Veröffentlicht: (2000)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
von: Sghaier, H., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Sghaier, H., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
von: N. M. Litovchenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: N. M. Litovchenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
von: N. M. Lytovchenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: N. M. Lytovchenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
von: Савельев, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Савельев, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)
High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
von: Krukovsky, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Krukovsky, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)
A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)
von: H. Sghaier, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: H. Sghaier, et al.
Veröffentlicht: (2012)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Spin and charge effects caused by positively charged acceptors in GaAs/AlGaAs quantum wells
von: P. V. Petrov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: P. V. Petrov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Deep attachment levels in In0.4Ga0.6As/GaAs heterostructures with quantum dots
von: O. V. Vakulenko, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: O. V. Vakulenko, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Anisotropy of elastic deformations in multilayer (In,Ga)As/GaAs structures with quantum wires: X-ray diffractometry study
von: Strelchuk, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Strelchuk, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
von: Kryshtab, T.G., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Kryshtab, T.G., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs)
von: Tkach, M.V., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Tkach, M.V., et al.
Veröffentlicht: (2001)
2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
von: L. V. Kulik, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: L. V. Kulik, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
von: V. I. Boichuk, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: V. I. Boichuk, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
von: V. I. Boichuk, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: V. I. Boichuk, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
von: Кулик, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Кулик, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)
InAs quantum dots embedded into anti-modulation-doped GaAs superlattice structures
von: Masselink, W.T., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Masselink, W.T., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Study on phase characteristics of heterostructure por-Ga2O3/GaAs
von: S. S. Kovachov, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: S. S. Kovachov, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Optical properties of p-type porous GaAs
von: Kidalov, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Kidalov, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)
Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001)
von: P. Sritonwong, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: P. Sritonwong, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Ähnliche Einträge
-
Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
von: A. P. Savelev, et al.
Veröffentlicht: (2017) -
Temperature dependence of quantum lifetime in n-InGaAs/GaAs structures with double stronglycoupled quantum wells
von: Ju. G. Arapov, et al.
Veröffentlicht: (2013) -
The effect of infrared illumination on quantum magnetotransport in strongly coupled n-InGaAs/GaAs double quantum wells
von: S. V. Gudina, et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Quantum magnetotransport in n-InGaAs/GaAs structures under change of electron density by infrared illumination
von: Ju. G. Arapov, et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)