Low-temperature Hall effect and martensitic transition temperatures in magnetocaloric Ni50Mn35Sb15–xGex (x = 0, 1, 3) alloys
Gespeichert in:
| Datum: | 2021 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | V. V. Marchenkov, S. M. Emelyanova |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2021
|
| Schriftenreihe: | Low Temperature Physics |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001221074 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
Investigation of the optical and acoustical phonon modes in Si₁₋xGex QD SLs
von: Dzhagan, V.N., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Dzhagan, V.N., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Phase diagrams of Si1-xGex solid solution: a theoretical approach
von: A. R. Jivani, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: A. R. Jivani, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
von: A. A. Greenchuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: A. A. Greenchuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
von: O. A. Hrynchuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: O. A. Hrynchuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0ч1) films produced by plasma chemical deposition technique
von: B. A. Najafov, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: B. A. Najafov, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0ч1) films produced by plasma chemical deposition technique
von: B. A. Nadzhafov, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: B. A. Nadzhafov, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Magnetic and magnetocaloric properties of the La₀.₉–xAgxMn₁.₁O₃ compounds
von: Zubov, E., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Zubov, E., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям
von: Вайнберг, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Вайнберг, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Influence of replacement of Mn by Cr on magnetocaloric properties of quenched NiMn1–xCrxGe alloys
von: E. Zubov, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: E. Zubov, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Magnetic and magnetocaloric properties of the La0.9–xAgxMn1.1O3 compounds
von: E. Zubov, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: E. Zubov, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Acousto-optic properties of GexS100–x glasses and acousto-optic modulator on their basis
von: D. I. Bletskan, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: D. I. Bletskan, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Фазовые превращения в интерметаллических соединениях Zr50Co50−xNix (0<x<50)
von: Косорукова, Т.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Косорукова, Т.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Radiation/annealing-induced structural changes in GexAs₄₀-xS₆₀ glasses as revealed from high-energy synchrotron X-ray diffraction measurements
von: Kavetskyy, T.S., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Kavetskyy, T.S., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
von: O. A. Hrynchuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: O. A. Hrynchuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
von: A. A. Grynchuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: A. A. Grynchuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе
von: Блецкан, Д.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Блецкан, Д.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе
von: Bletskan, D. I., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Bletskan, D. I., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Кристаллоструктурное состояние сплавов Mn1+xSb (0 ≤ x ≤ 1.0) после термобарической обработки
von: Рыжковский, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Рыжковский, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
von: Gnilenko, A. B., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Gnilenko, A. B., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Low-temperature magnetic viscosity in GaMnSb thin films, containing MnSb clusters
von: A. I. Dmitriev, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: A. I. Dmitriev, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Synthesis and properties of semiconductor solid solutions (inSb)₁₋x(CdTe)x
von: Venger, E.F., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Venger, E.F., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Radiation/annealing-induced structural changes in GexAs40 xS60 glasses as revealed from high-energy synchrotron X-ray diffraction measurements
von: T. S. Kavetskyy, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: T. S. Kavetskyy, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Head of the hall of patent documents of spstl SB RAS
von: O. N. Isakova
Veröffentlicht: (2014)
von: O. N. Isakova
Veröffentlicht: (2014)
Tribological Characteristics of Cast 120X15, 120X15Yu and Standard 20X13 Steels in Conditions of Boundary Friction
von: V. G. Novitskij, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: V. G. Novitskij, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Raman spectroscopy and X-ray diffraction studies of (GeS2)100-x(SbSI)x glasses and composites on their basis
von: V. M. Rubish, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: V. M. Rubish, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Особенности устойчивости низкотемпературного ферримагнетизма в системе Mn2–xZnxSb
von: Вальков, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Вальков, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Effect of atomic substitutions on the electronic structure of Pt1 – xNixMnSb alloys (x = 0.0–1.0)
von: V. N. Uvarov, et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: V. N. Uvarov, et al.
Veröffentlicht: (2022)
Effect of atomic substitutions on the electronic structure of Pt1 – xNixMnSb alloys (x = 0.0–1.0)
von: V. N. Uvarov, et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: V. N. Uvarov, et al.
Veröffentlicht: (2022)
Crystallization study of (As2S3)100-x(SbSI)x amorphous filmsby the optical method
von: V. M. Rubish, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: V. M. Rubish, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Thermoelectric figure of merit of single crystals p-(BixSb1-x)2-ySnyTe3 in wide temperature range
von: V. A. Kulbachinskii, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: V. A. Kulbachinskii, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
von: A. Druzhinin, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: A. Druzhinin, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
von: Кондрат, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Кондрат, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001)
The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd₂–xCexCuO₄₊δ (x = 0.14)
von: Shelushinina, N.G., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Shelushinina, N.G., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Calculation of absorption coefficients of InSb₁₋xBix solid solutions
von: Vyklyuk, J.I., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Vyklyuk, J.I., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Temperature changes of Seebeck coefficient of SbSJ modified
von: Garbarz, B.
Veröffentlicht: (1999)
von: Garbarz, B.
Veröffentlicht: (1999)
Low-temperature photoluminescence in NixMg1–xO nanocrystals
von: V. N. Churmanov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: V. N. Churmanov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Temperature and pressure investigation of HfxTa1–xC and ZrxNb1–xC carbide alloys
von: P. Bhardwaj, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: P. Bhardwaj, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Carbon Distribution in Low-Temperature Isothermal Iron-Based Martensite and Its Tetragonality
von: Gavriljuk, V.G., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Gavriljuk, V.G., et al.
Veröffentlicht: (2016)
The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd2–xCexCuO4+δ (x = 0.14)
von: N. G. Shelushinina, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: N. G. Shelushinina, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Ähnliche Einträge
-
Investigation of the optical and acoustical phonon modes in Si₁₋xGex QD SLs
von: Dzhagan, V.N., et al.
Veröffentlicht: (2003) -
Phase diagrams of Si1-xGex solid solution: a theoretical approach
von: A. R. Jivani, et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
von: A. A. Greenchuk, et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
von: O. A. Hrynchuk, et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)