Electric field ionization of boron acceptors in single-crystalline diamond
Збережено в:
Дата: | 2021 |
---|---|
Автори: | I. V. Altukhov, M. S. Kagan, S. K. Paprotskiy, N. A. Khvalkovskiy, N. B. Rodionov, A. P. Bolshakov, V. G. Ralchenko, R. A. Khmelnitskiy |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2021
|
Назва видання: | Low Temperature Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001221077 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Boron-doped diamond single crystals for probes of the high-vacuum tunneling microscopy
за авторством: A. P. Chepugov, та інші
Опубліковано: (2013) -
Quenching process in an ionizing particle track for organic crystalline scintillation detectors
за авторством: Galunov, N.Z., та інші
Опубліковано: (2013) -
Diamond polishing of crystalline materials for optoelectronics
за авторством: Ju. D. Filatov
Опубліковано: (2017) -
Study of electrical resistance single crystals of synthetic diamond
за авторством: K. Khajdarov, та інші
Опубліковано: (2016) -
On the interaction of the detonation-synthesized ultradisperse diamond and turbostratic boron nitride
за авторством: G. S. Olejnik, та інші
Опубліковано: (2017)