Theory of the shear acoustic phonons spectrum and their interactionwith electrons due to the piezoelectric potential in AlN/GaN nanostructures of plane symmetry

Theory of the shear acoustic phonons spectrum and their interactionwith electrons due to the piezoelectric potential in AlN/GaN nanostructures of plane symmetry

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2021
Автори:	I. V. Boyko, M. R. Petryk, J. Fraissard
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2021
Назва видання:	Low Temperature Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001221092
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Фононні та поляронні стани циліндричних дротів ZnO/GaN та GaN/AlN
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2022)

Current instabilities in resonant tunnelling diodes based on GaN/AlN heterojunctions
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2004)

Resistance formation mechanisms for contacts and to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)

Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2012)

Effect of microwave radiation on I-V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2013)

Effect of microwave radiation on I V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2013)

Simulation of X-Ray Diffraction Spectra for AlN/GaN Multiple Quantum Well Structures on AlN(0001) with Interface Roughness and Variation of Vertical Layers Thickness
за авторством: Liubchenko, O.I., та інші
Опубліковано: (2018)

The first principle calculation of electronic and optical properties of AlN, GaN and InN compounds under hydrostatic pressure
за авторством: Berrah, S., та інші
Опубліковано: (2006)

Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
за авторством: Боцула, О.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Significance of DX-centers for acoustic induced reconstruction processes of defects in GaN/AlGaN
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2021)

Photoluminescence characterization of AlN nanowhiskers
за авторством: Vokhmintsev, A.S., та інші
Опубліковано: (2014)

Polar interface optical phonon states and their dispersive properties of a wurtzite GaN quantum dot: quantum size effect
за авторством: Zhang, L.
Опубліковано: (2010)

Peculiarities of THz-electromagnetic wave transmission through the GaN films under conditions of cyclotron and optical phonon transit-time resonances
за авторством: Korotyeyev, V.V.
Опубліковано: (2013)

Peculiarities of THz-electromagnetic wave transmission through the GaN films under conditions of cyclotron and optical phonon transit-time resonances
за авторством: V. V. Korotyeyev
Опубліковано: (2013)

Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

Interaction of strongly correlated electrons and acoustical phonons
за авторством: Moskalenko, V.A., та інші
Опубліковано: (2006)

Strain effects on the valence band structure, optical transitions, and light gain spectrums in zinc-blende GaN quantum wells
за авторством: Lokot, L.O.
Опубліковано: (2008)

Shear elastic surface waves and system symmetry
за авторством: A. S. Kovalev, та інші
Опубліковано: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2014)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: Ye. Bieliaiev, та інші
Опубліковано: (2014)

Electric-physical characteristics of pressureless sintered AlN–TiN ceramic composite
за авторством: I. P. Fesenko, та інші
Опубліковано: (2022)

Electron-acoustic phonon field induced tunnel scattering
за авторством: Melkonyan, S.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Mechanism of AlN film formation at thermochemical nitridization of sapphire
за авторством: Kaltaev, Kh.Sh.-ogly, та інші
Опубліковано: (2011)

Дослідження пасток в гетероструктурах AlGaN/GaN ультразвуковими коливаннями
за авторством: Kaliuzhnyi, V.V., та інші
Опубліковано: (2021)

Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN
за авторством: Кудрик, Р.Я.
Опубліковано: (2015)

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
за авторством: Golenkov, A.G., та інші
Опубліковано: (2015)

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
за авторством: A. G. Golenkov, та інші
Опубліковано: (2015)

Strain effect in surface acoustic wave elements with a piezoelectric acoustic line and sensors based on this effect
за авторством: Lepikh, Ya.I.
Опубліковано: (2000)

Effect of Anisotropy and Deformations of Transverse Shear on Operating Efficiency of Piezoelectric Sensors and Actuators
за авторством: V. G. Karnaukhov, та інші
Опубліковано: (2018)

Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)

Calculation of electron mobility and effect of dislocation scattering in GaN
за авторством: Kundu, J., та інші
Опубліковано: (2007)

Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2012)

Ultra-high field transport in GaN-based heterostructures
за авторством: Vitusevich, S.A., та інші
Опубліковано: (2006)

Methods of excitation of short acoustic pulses in piezoelectric transducer with matching layers
за авторством: S. A. Najda, та інші
Опубліковано: (2012)

Generalized method of Feynman-Pines diagram technique in the theory of energy spectrum of two-level quasiparticle renormalized due to multi-phonon processes at cryogenic temperature
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
за авторством: M. Bataev, та інші
Опубліковано: (2011)

Теплопроводность керамики AlN–SiC, полученной свободным спеканием
за авторством: Прихна, Т.А., та інші
Опубліковано: (2008)