Influence of microwave radiation treatment on photoluminescent properties of II-VI compounds (Review)
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автори: | R. A. Redko, N. D. Vakhniak, O. P. Lotsko, H. V. Milenin, V. V. Milienin, S. M. Redko |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2017
|
Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001138330 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaAs
за авторством: S. M. Redko
Опубліковано: (2014) -
Effect of the microwave radiation treatment of porous indium phosphide on spectra of radiative recombination centers
за авторством: Red’ko, R., та інші
Опубліковано: (2007) -
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaN:Si
за авторством: S. M. Redko
Опубліковано: (2015) -
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaAs
за авторством: Red'ko, S.M.
Опубліковано: (2014) -
Effect of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of III-V single crystals
за авторством: R. V. Konakova, та інші
Опубліковано: (2014)