Peculiarities of preparation of CdTe p-n junctions and carrier transport in them
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автори: | A. T. Voroshchenko, A. V. Sukach, V. V. Tetorkin, A. I. Tkachuk, Yu. Kravetskyi, I. H. Lutsyshyn, I. M. Matiiuk |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2017
|
Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001138332 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Carrier transport mechanisms in polycrystalline sandwich structures p+-PbTe/p-CdTe/p+-PbTe
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2013) -
Mechanisms of carrier transport in CdTe polycrystalline films
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2010) -
Mechanisms of carrier transport in CdTe polycrystalline films
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2010) -
Reverse current-voltage characteristics and carrier transport mechanisms in InAs photodi-odes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011) -
Characterization of grain boundaries in CdTe polycrystalline films
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2015)