nvestigations of near dislocation clusters of point defects in CdZnTe crystals by using the Hall method under the ultrasound loading the crystals
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | Ya. M. Olikh, M. D. Tymochko, N. V. Safriuk, M. I. Ilashchuk, Ya. Olikh |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2017
|
| Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001138335 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Features of ultrasound absorption by dislocations in subgrain-free Cs0.2Hg0.8Te crystals
за авторством: I. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: I. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Features of ultrasound absorption by dislocations in subgrain-free Cs0.2Hg0.8Te crystals
за авторством: I. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: I. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Peculiarities of current flow in strongly compensated low-resistance CdTe:Cl crystals under ultrasonic loading
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2016)
Peculiarities of current flow in strongly compensated low-resistance CdTe:Cl crystals under ultrasonic loading
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2016)
About ultrasound-stimulated a self-organization of defect structures in semiconductors during ion implantation
за авторством: Ya. M. Olikh
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ya. M. Olikh
Опубліковано: (2013)
Dielectric inhomogeneities in CdZnTe crystals
за авторством: Gerasimenko, A.S., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Gerasimenko, A.S., та інші
Опубліковано: (2006)
Relaxation factors of acoustic conductivity in CdTe
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of ultrasound treatment and dynamic (in-situ) ultrasound loading on the temperature hysteresis of electrophysical characteristics in irradiated n-Si–Fz
за авторством: Babych, V.М., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Babych, V.М., та інші
Опубліковано: (2009)
Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2015)
Evolution of the time and spatial photoresponse instabilities of the sensors based on CdZnTe crystals
за авторством: But, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: But, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)
Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)
Influence of impurities and structural defects on electrophysical and detector properties of CdTe and CdZnTe
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)
Thermodynamics and crystal chemistry of point defects in PpbTe crystals at two-temperature annealing
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2011)
Calculated images of dislocations in crystals on section topograms
за авторством: Novіkov, S.M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Novіkov, S.M., та інші
Опубліковано: (2010)
Acoustodynamic transformation of the defect structure in Hg₁₋xCdx Te alloys
за авторством: Olikh, Y.M., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Olikh, Y.M., та інші
Опубліковано: (2000)
The methods for the calculation of the elastic interaction of point defects with a dislocation loops in hexagonal crystals
за авторством: Trotsenko, O.G., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Trotsenko, O.G., та інші
Опубліковано: (2017)
Galvanomagnetic phenomena in HgMnTe and HgCdMnTe single crystals
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)
nvestigation of the Smooth Start-up of an Induction Motor
за авторством: V. S. Petrushin, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. S. Petrushin, та інші
Опубліковано: (2018)
Effect of defects originating under the proton irradiation on the electrophysical and detector properties of CdTe:Cl and CdZnTe
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2021)
Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
за авторством: I. H. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: I. H. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
за авторством: I. G. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: I. G. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
Dislocation emission caused by different types of nanoscale deformation defects in CdTe
за авторством: Babentsov, V.N., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Babentsov, V.N., та інші
Опубліковано: (2014)
Dislocation emission caused by different types of nanoscale deformation defects in CdTe
за авторством: V. N. Babentsov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. N. Babentsov, та інші
Опубліковано: (2014)
Electroplastic effect associated with the dislocation generation in the initially dislocation-free silicon filamentary crystals
за авторством: Ermakov, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ermakov, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)
Hall and magnetoresistance factors in Bi0.88Sb0.12 single crystal doped with Te
за авторством: Kh. A. Gasanova, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kh. A. Gasanova, та інші
Опубліковано: (2015)
Dynamic damping of dislocations with phonons in Kbr single crystals
за авторством: Petchenko, A.M., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Petchenko, A.M., та інші
Опубліковано: (2006)
Ultrasound effect on radiation damages in boron implanted silicon
за авторством: Romanjuk, B., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Romanjuk, B., та інші
Опубліковано: (2000)
Dislocations and crowdions in two-dimensional crystals. Part III: Plastic deformation of a crystal as a result of movement of defects and their interaction with the field of elastic stresses
за авторством: V. D. Natsik, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. D. Natsik, та інші
Опубліковано: (2016)
Dislocations and crowdions in two-dimensional crystals. Part II: Elastic fields and intrinsic energies of the above defects in a crystal with a plane hexagonal lattice
за авторством: V. D. Natsik, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. D. Natsik, та інші
Опубліковано: (2015)
nvestigation of the sensitivity inherent to sensor Au chips with nanostructured surface
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2017)
Photostimulated passivation of spectrometric CdZnTe detectors
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2008)
Influence of ultrasound on the growth striations in GaₓIn₁₋ₓSb single crystals
за авторством: Zolkina, L.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Zolkina, L.V., та інші
Опубліковано: (2005)
The dislocation resonance absorption of ultrasoundin KBr crystals at low temperatures
за авторством: Petchenko, G.A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Petchenko, G.A., та інші
Опубліковано: (2009)
Investigation of dislocations in Ge single crystals by scanning electron beam
за авторством: Nadtochy, V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Nadtochy, V., та інші
Опубліковано: (2004)
Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes
за авторством: Gontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Gontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2003)
Specific thermoemf and Hall-effect in crystals with monopolar conductivity
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)
Dynamic damping of dislocations in the irradiated LiF crystals
за авторством: Petchenko, G.A.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Petchenko, G.A.
Опубліковано: (2012)
CdZnTe sensors for X-ray measurements
за авторством: A. V. Rybka, та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: A. V. Rybka, та інші
Опубліковано: (2006)
Computer simulation and analytic description of the structural defects in two-dimensional limited in size crystals: free boundary, dislocations, crowdions
за авторством: V. D. Natsik, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. D. Natsik, та інші
Опубліковано: (2018)
Oscillations of kinks on dislocation lines in crystals and low-temperature transport anomalies as "pasport” of freshly included defects
за авторством: L. P. Mezhov-Deglin, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: L. P. Mezhov-Deglin, та інші
Опубліковано: (2011)
Схожі ресурси
-
Features of ultrasound absorption by dislocations in subgrain-free Cs0.2Hg0.8Te crystals
за авторством: I. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2014) -
Features of ultrasound absorption by dislocations in subgrain-free Cs0.2Hg0.8Te crystals
за авторством: I. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2014) -
Peculiarities of current flow in strongly compensated low-resistance CdTe:Cl crystals under ultrasonic loading
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2016) -
Peculiarities of current flow in strongly compensated low-resistance CdTe:Cl crystals under ultrasonic loading
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2016) -
About ultrasound-stimulated a self-organization of defect structures in semiconductors during ion implantation
за авторством: Ya. M. Olikh
Опубліковано: (2013)