nvestigations of near dislocation clusters of point defects in CdZnTe crystals by using the Hall method under the ultrasound loading the crystals
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автори: | Ya. M. Olikh, M. D. Tymochko, N. V. Safriuk, M. I. Ilashchuk, Ya. Olikh |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2017
|
Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001138335 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Features of ultrasound absorption by dislocations in subgrain-free Cs0.2Hg0.8Te crystals
за авторством: I. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2014) -
Features of ultrasound absorption by dislocations in subgrain-free Cs0.2Hg0.8Te crystals
за авторством: I. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2014) -
About ultrasound-stimulated a self-organization of defect structures in semiconductors during ion implantation
за авторством: Ya. M. Olikh
Опубліковано: (2013) -
Peculiarities of current flow in strongly compensated low-resistance CdTe:Cl crystals under ultrasonic loading
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2016) -
Peculiarities of current flow in strongly compensated low-resistance CdTe:Cl crystals under ultrasonic loading
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2016)