Experimental evidence of invariability in the shape of n‑Ge isoenergetic ellipsoids influenced by strong uniaxial elastic strains
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автори: | H. P. Haidar, P. I. Baranskyi |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2017
|
Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001138337 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Experimental proof of the shape constancy for isoenergetic ellipsoids in n–Ge under strong uniaxial elastic deformation
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2015) -
Dose dependence of tensoresistance for the symmetrical orientation of the deformation axis relatively to all isoenergetic ellipsoids in γ-irradiated (60Co) n-Si crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2018) -
Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2016) -
Measured Hardness by an Indenter Having Ellipsoidal Shape
за авторством: Boudilmi, A., та інші
Опубліковано: (2016) -
Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2016)