Зображення обкладинки

The current-voltage characteristics of Corbino disk in the quantum Hall effect regime

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2016
Автор:	V. Shikin
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2016
Назва видання:	Low Temperature Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000484719
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Thermodynamical anomalous Hall effect: quantum regime
за авторством: V. I. Okulov, та інші
Опубліковано: (2014)

Acoustic edge magnetoplasmons and quantum Hall effect
за авторством: V. Shikin, та інші
Опубліковано: (2017)

On the question of critical exponents universality in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2019)

Method of computation of energies in the fractional quantum Hall effect regime
за авторством: Ammar, M.A., та інші
Опубліковано: (2016)

The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2017)

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Tunneling current noise in the fractional quantum Hall effect: when the effective charge is not what it appears to be
за авторством: Snizhko, K.
Опубліковано: (2016)

Tunneling current noise in the fractional quantum Hall effect: when the effective charge is not what it appears to be
за авторством: K. Snizhko
Опубліковано: (2016)

Toward theory of quantum Hall effect in graphene
за авторством: Gorbar, E.V., та інші
Опубліковано: (2008)

Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)

Quantum Hall interferometers
за авторством: E. V. Devjatov
Опубліковано: (2013)

Nature of localized states in two-dimensional electron systems in the quantum Hall regime: Acoustic studies
за авторством: I. L. Drichko, та інші
Опубліковано: (2017)

Integer quantum Hall effect and topological phase transitions in silicene
за авторством: Liu, Y.L., та інші
Опубліковано: (2017)

SUSY Quantum Hall Effect on Non-Anti-Commutative Geometry
за авторством: Hasebe, K.
Опубліковано: (2008)

Level statistics for quantum Hall systems
за авторством: Kagalovsky, V., та інші
Опубліковано: (2005)

Principles of construction of Current converter based on the Hall-effect device
за авторством: S. H. Taranov, та інші
Опубліковано: (2013)

Propagation of acoustic edge waves in graphene under quantum Hall effect
за авторством: Vikström, A.
Опубліковано: (2015)

Propagation of acoustic edge waves in graphene under quantum Hall effect
за авторством: A. Vikström
Опубліковано: (2015)

Plateau–plateau transitions in the quantum Hall regime for a single quantum well heterostructure n-InGaAs/GaAs before and after IR illumination
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)

Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)

Phase diagram of the spin quantum Hall transition
за авторством: V. Kagalovsky, та інші
Опубліковано: (2018)

Phase diagram of the spin quantum Hall transition
за авторством: Kagalovsky, V., та інші
Опубліковано: (2018)

Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Impact of traps on current-voltage characteristic of ⁺--⁺ diode
за авторством: Kruglenko, P.M.
Опубліковано: (2017)

HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)

HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Varistor-like current-voltage characteristic of porous silicon
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (1999)

A Note on Spectral Triples on the Quantum Disk
за авторством: Klimek, S., та інші
Опубліковано: (2019)

Current–voltage characteristics of Nb–carbon–Nb junctions
за авторством: Nevirkovets, I.P., та інші
Опубліковано: (2014)

Current–voltage characteristics of Nb–carbon–Nb junctions
за авторством: I. P. Nevirkovets, та інші
Опубліковано: (2014)

Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)

Characteristics of Short Dipole Loaded with Disks
за авторством: Prosvirnin, S. L., та інші
Опубліковано: (2012)

Supply voltage control of hall sensors for low power magneto-electric systems
за авторством: K. P. Akinin, та інші
Опубліковано: (2019)

The device that simulates current-voltage characteristics of the PV battery physically
за авторством: R. V. Antipenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Interlayer tunneling and the problem of superfluidity in bilayer quantum Hall systems
за авторством: Fil, D.V., та інші
Опубліковано: (2007)

Classification of methods for measuring current-voltage characteristics of semiconductor devices
за авторством: E. A. Ermolenko
Опубліковано: (2014)

Hall effect and magnetic ordering in RB₁₂
за авторством: Baranovskiy, A.E., та інші
Опубліковано: (2009)

Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)

Hall effect studies in YBCO films
за авторством: Solovjov, A.L.
Опубліковано: (1998)